公开(公告)号：CN1591901A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410058869.8

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 钟个江义晴 ,  岩崎富生 ,  守谷浩志

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/115 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。

公开(公告)号：CN100444402C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200410058869.8

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 钟个江义晴 ,  岩崎富生 ,  守谷浩志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/115 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。

公开(公告)号：CN101136407A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710167003.4

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 钟个江义晴 ,  岩崎富生 ,  守谷浩志

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/115 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。

公开(公告)号：CN104081475A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280068936.7

申请日：2012-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 守谷浩志

IPC: H01F1/055 ,  H01F10/10 ,  H01F10/30

CPC classification number: H01F7/02 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/40 ,  H01F1/42 ,  H01F10/126 ,  H01F41/32

Abstract: 本发明目的在于提供矫顽力高的稀土磁铁的结构。为了解决该课题，本发明的稀土磁铁，其特征在于，层叠通过共价键而键合的元素的片(100)与包含过渡金属元素的层(200)，稀土元素位于所述片(100)的面内。

公开(公告)号：CN100555634C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710167003.4

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 钟个江义晴 ,  岩崎富生 ,  守谷浩志

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/115 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。