溅射方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103046008B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210543933.6

    申请日:2009-09-29

    Abstract: 一种溅射方法,在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下,能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备:基板保持架(22),其保持基板(21),使基板能够绕与基板处理面垂直的旋转轴进行旋转;基板磁场形成装置(30),其配置于基板(21)的周围,在基板(21)的处理面上形成磁场;阴极(41),其配置于基板(21)的斜上方,放电电力供给至该阴极(41);位置检测装置(23),其检测基板(21)的旋转位置;以及控制装置(50),其根据位置检测装置(23)所检测到的旋转位置来调整基板(21)的旋转速度。

    稀土类烧结磁铁及其制造方法

    公开(公告)号:CN101006534B

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200680000655.2

    申请日:2006-04-14

    CPC classification number: H01F1/0577 H01F41/0293 H01F41/18 H01F41/20 H01F41/24

    Abstract: 在本发明的R-Fe-B系稀土类烧结磁铁的制造方法中,首先,准备具有含有轻稀土类元素RL(Nd和Pr中的至少一种)作为主要的稀土类元素R的R2Fe14B型化合物晶粒作为主相的R-Fe-B系烧结磁铁。接着,在烧结磁体表面包覆由RH(其中,RH为选自Dy、Ho、Tb中的稀土类元素的一种或两种以上)和与其形成RHM以使熔点下降的金属M(其中,M为选自Al、Cu、Co、Fe、Ag中的金属元素的一种或两种以上)构成的RHM合金层。此后,在真空或Ar气氛中,在500℃以上1000℃以下的温度下进行热处理,使金属元素M从表面扩散到烧结磁铁内部,并且使重稀土类元素RH从表面扩散到稀土类烧结磁体内部。

    薄膜形成装置和磁记录介质制造方法

    公开(公告)号:CN101724816A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910206356.X

    申请日:2009-10-15

    Inventor: E·N·阿巴拉

    CPC classification number: C23C14/568 C23C14/34 C23C14/541 G11B5/851 H01F41/18

    Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置和磁记录介质制造方法。该薄膜形成装置包含多个室,并在传送到所述多个室的基板的两个表面上执行用于形成薄膜的处理,其中,所述多个室的第一溅射室包含:被配置为在基板的第一表面上执行溅射膜形成处理的第一溅射膜形成单元;和被配置为加热基板的与第一表面相对的第二表面的第一加热单元,并且,所述多个室的第二溅射室包含:被配置为加热已经受第一溅射室执行的溅射膜形成处理的基板的第一表面的第二加热单元;和被配置为在被第一溅射室加热的基板的第二表面上执行溅射膜形成处理的第二溅射膜形成单元。

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