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公开(公告)号：CN109119530A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810642504.1
申请日：2018-06-21
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L41/18 , H01L41/083 , H01L41/314 , H01L41/316 , C30B29/16 , C30B25/02
CPC classification number: C30B29/68 , C30B23/025 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/26 , C30B29/32 , H01F41/18 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/312 , H01L41/313 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L41/18 , C30B25/02 , H01L41/083 , H01L41/314
Abstract: 本发明提供薄膜结构体及其制造方法。在蓝宝石基板上直接地使外延氧化物薄膜生长的以往方法中，外延氧化物薄膜不具有{100}面主面，而是具有{110}或{111}面主面。本发明涉及一种制造薄膜结构体的方法，该方法具备在作为蓝宝石基板的第1基板的主面上使第1外延薄膜生长的工序。所述蓝宝石基板的主面为{11-26}面，因此所述第1外延薄膜具有{100}面主面。
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公开(公告)号：CN106067357B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610251833.4
申请日：2016-04-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0306 , C22C38/10 , C22C38/105 , H01F1/047 , H01F7/021 , H01F10/16 , H01F10/265 , H01F41/18 , H02K1/02
Abstract: 本发明提供一种具备高的饱和磁化强度Is和矫顽力HcJ、即使不使用稀土元素R也能够制造的永久磁铁。通过具有Fe和T(T为必须有Co或Ni的1种以上的过渡金属元素)的浓度交替变化的周期结构，所述浓度的变化的周期为3.3nm以下，所述浓度的变化中Fe的浓度差为5at％以上，由此得到具备高的饱和磁化强度Is和矫顽力HcJ，即使不使用稀土元素R也能够制造的永久磁铁。
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公开(公告)号：CN103046008B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210543933.6
申请日：2009-09-29
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/542 , C23C14/3464 , H01F41/18 , H01J37/3266 , H01J37/32733 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3414
Abstract: 一种溅射方法，在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下，能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备：基板保持架(22)，其保持基板(21)，使基板能够绕与基板处理面垂直的旋转轴进行旋转；基板磁场形成装置（30），其配置于基板(21)的周围，在基板(21)的处理面上形成磁场；阴极(41)，其配置于基板(21)的斜上方，放电电力供给至该阴极(41)；位置检测装置(23)，其检测基板(21)的旋转位置；以及控制装置(50)，其根据位置检测装置(23)所检测到的旋转位置来调整基板(21)的旋转速度。
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公开(公告)号：CN103531209A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310313416.4
申请日：2013-05-07
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3103 , G11B5/3163 , H01F10/16 , H01F41/18
Abstract: 本申请公开具有已调晶粒尺寸的薄膜。一种设备及相关的方法提供磁性写入元件，其可具有在低温衬底温度下被调整到预定的第一晶粒尺寸的至少一个写入磁极。可以形成具有在低温衬底温度下调整的预定的第二晶粒尺寸的磁性屏蔽。
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公开(公告)号：CN103500581A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310282017.6
申请日：2013-05-02
Applicant: 希捷科技有限公司
Inventor： M·朱 , E·L·C·埃斯特瑞恩 , 田伟 , V·印图瑞 , M·C·考茨基
CPC classification number: G11B5/3113 , G11B5/3163 , H01F41/18
Abstract: 本发明公开了具有降低的应力各向异性的薄膜。一种装置及其关联方法提供一种磁性元件，该磁性元件具有在低温基板上沉积的薄膜。该薄膜另外可以在初次退火期间经过应力调节以降低不想要的应力各向异性。该薄膜可配置成在初次退火之后具有近零内部应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227514A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147190.7
申请日：2009-12-25
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: H01F41/18 , B82Y25/00 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/54 , H01F10/3254 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3476 , H01L43/12
Abstract: 一种溅射装置配备有：基板保持器(22)，在基板的待处理面的面方向上可旋转地保持基板(21)；基板侧磁体(30)，在基板(21)的待处理面处形成磁场，并且被布置在基板(21)周边；阴极(41)，用于产生放电的功率被施加到该阴极(41)，并且，该阴极(41)被布置在基板(21)的斜上方；位置检测单元(23)，检测基板(21)的旋转位置；和控制器(5)，根据由位置检测单元(23)检测的旋转位置来控制用于产生放电的功率。
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公开(公告)号：CN101006534B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200680000655.2
申请日：2006-04-14
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F41/0293 , H01F41/18 , H01F41/20 , H01F41/24
Abstract: 在本发明的R-Fe-B系稀土类烧结磁铁的制造方法中，首先，准备具有含有轻稀土类元素RL(Nd和Pr中的至少一种)作为主要的稀土类元素R的R2Fe14B型化合物晶粒作为主相的R-Fe-B系烧结磁铁。接着，在烧结磁体表面包覆由RH(其中，RH为选自Dy、Ho、Tb中的稀土类元素的一种或两种以上)和与其形成RHM以使熔点下降的金属M(其中，M为选自Al、Cu、Co、Fe、Ag中的金属元素的一种或两种以上)构成的RHM合金层。此后，在真空或Ar气氛中，在500℃以上1000℃以下的温度下进行热处理，使金属元素M从表面扩散到烧结磁铁内部，并且使重稀土类元素RH从表面扩散到稀土类烧结磁体内部。
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公开(公告)号：CN101765677A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200780100063.2
申请日：2007-08-29
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 远藤彻哉 , 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉
CPC classification number: C23C14/225 , C23C14/044 , C23C14/3407 , C23C14/505 , C23C14/548 , H01F41/18 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3435 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种溅射设备，该溅射设备通过配置靶材和基板以允许从靶材发出的溅射粒子选择性地倾斜入射到基板而能够倾斜成膜，并且能够均一地和紧凑地形成具有高的单轴磁各向异性的磁性膜。溅射设备包括：阴极，其具有溅射靶材支撑面，该阴极设置有转轴，溅射靶材支撑面可绕该转轴转动；以及台架，其具有基板支撑面，该台架设置有转轴，基板支撑面可绕该转轴转动，溅射设备被构造成使得溅射靶材支撑面和基板支撑面彼此面对并且可绕各自的转轴独立地转动。此外，溅射设备被构造成使得在溅射靶材支撑面和基板支撑面之间配置遮蔽板并且遮蔽板可独立于阴极和台架地转动。
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公开(公告)号：CN101724817A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910209081.5
申请日：2009-10-30
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： E·N·阿巴拉
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/34 , C23C14/541 , G11B5/851 , H01F41/18
Abstract: 本发明公开溅射设备、薄膜形成设备和磁记录介质制造方法。所述溅射设备包括：第一靶容纳单元，容纳用于在基板上成膜的第一靶；第一加热器，被布置为包围第一靶，用于加热基板；以及第二靶容纳单元，被布置为包围第一加热器，以容纳用于在基板上成膜的第二靶。
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公开(公告)号：CN101724816A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910206356.X
申请日：2009-10-15
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： E·N·阿巴拉
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/34 , C23C14/541 , G11B5/851 , H01F41/18
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置和磁记录介质制造方法。该薄膜形成装置包含多个室，并在传送到所述多个室的基板的两个表面上执行用于形成薄膜的处理，其中，所述多个室的第一溅射室包含：被配置为在基板的第一表面上执行溅射膜形成处理的第一溅射膜形成单元；和被配置为加热基板的与第一表面相对的第二表面的第一加热单元，并且，所述多个室的第二溅射室包含：被配置为加热已经受第一溅射室执行的溅射膜形成处理的基板的第一表面的第二加热单元；和被配置为在被第一溅射室加热的基板的第二表面上执行溅射膜形成处理的第二溅射膜形成单元。
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