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公开(公告)号：CN103310804A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310080431.9
申请日：2013-03-13
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G01R33/0052 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3133 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要： 一种磁传感器，包括第一屏蔽、第二屏蔽以及第一屏蔽和第二屏蔽之间的传感器叠层，传感器叠层具有多个层，其中至少一个层使用原位快速热退火被退火。在磁传感器的一种实现中，使用原位快速热退火来对籽晶层进行退火。替代地，使用原位快速热退火来对势垒层、AFM层和覆盖层中的一个进行退火。
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公开(公告)号：CN103514887B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310220117.6
申请日：2013-06-04
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/398
摘要： 总地提供一种能实现为换能头的磁性元件。各实施例可将磁性堆层配置成在空气承载表面(ABS)上与侧屏蔽叠层隔开。侧屏蔽叠层可被构造成具有多个磁性层和非磁性层，这些层中的每一个耦合至顶部屏蔽。
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公开(公告)号：CN103065644B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210478643.8
申请日：2012-09-21
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/265
CPC分类号： G11B5/3932 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F41/303 , Y10T428/11 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/1171 , Y10T428/1193
摘要： 多个实施例一般地涉及使用具有预定第一形态的去耦层来构建的磁传感器。磁性自由层可被沉积为接触地邻近于去耦层，磁性自由层被配置为具有预定第二形态的至少第一子层。
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公开(公告)号：CN103531209A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310313416.4
申请日：2013-05-07
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/3103 , G11B5/3163 , H01F10/16 , H01F41/18
摘要： 本申请公开具有已调晶粒尺寸的薄膜。一种设备及相关的方法提供磁性写入元件，其可具有在低温衬底温度下被调整到预定的第一晶粒尺寸的至少一个写入磁极。可以形成具有在低温衬底温度下调整的预定的第二晶粒尺寸的磁性屏蔽。
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公开(公告)号：CN103514887A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310220117.6
申请日：2013-06-04
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/398
摘要： 总地提供一种能实现为换能头的磁性元件。各实施例可将磁性堆层配置成在空气承载表面(ABS)上与侧屏蔽叠层隔开。侧屏蔽叠层可被构造成具有多个磁性层和非磁性层，这些层中的每一个耦合至顶部屏蔽。
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公开(公告)号：CN103065644A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210478643.8
申请日：2012-09-21
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/265
CPC分类号： G11B5/3932 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F41/303 , Y10T428/11 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/1171 , Y10T428/1193
摘要： 多个实施例涉及使用具有预定第一形态的去耦层来构建的磁传感器。磁性自由层可被沉积为接触地邻近于去耦层，磁性自由层被配置为具有预定第二形态的至少第一子层。
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公开(公告)号：CN101430883A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810175045.7
申请日：2008-10-24
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B2005/001 , G11B2005/0029
摘要： 一种磁装置，包括：具有界定面向介质的表面的写入元件头端的写入元件。该写入元件工作以在面向介质的表面处产生第一磁场。导体位于写入元件头端附近并且第一和第二导线连接于导体并配置成将电流传至导体以产生增大第一磁场的第二磁场。第一和第二侧元件在面向介质的表面处沿横向磁道方向设置在写入元件头端的相对两侧上。第一导线的至少一部分在面向介质的表面的相对侧位于第一侧元件附近，而第二导线的至少一部分在面向介质的表面的相对侧位于第二侧元件附近。
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公开(公告)号：CN103886873B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201310594776.6
申请日：2013-11-21
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/112 , G11B5/1272 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3948 , G11B5/3958 , G11B2005/3996 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 一种多读取器方法和装置。根据一个实施例，可制造多读取器，由此能在操作中同时地从存储设备的多个区域进行读取。可配置这种设备，例如通过形成第一壁、形成第二壁并利用第一壁和第二壁来形成两个毗邻的读取器叠层。
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公开(公告)号：CN103886873A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310594776.6
申请日：2013-11-21
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/112 , G11B5/1272 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3948 , G11B5/3958 , G11B2005/3996 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 一种多读取器方法和装置。根据一个实施例，可制造多读取器，由此能在操作中同时地从存储设备的多个区域进行读取。可配置这种设备，例如通过形成第一壁、形成第二壁并利用第一壁和第二壁来形成两个毗邻的读取器叠层。
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