公开(公告)号：CN105390145A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510518493.2

申请日：2015-08-21

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  L.关 ,  K.S.霍 ,  S.宋 ,  S.王

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/60

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G01R1/18 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/397 ,  G11B5/4886 ,  G11B2005/3996

Abstract: 根据一个实施例，一种系统包括前端磁屏蔽、在前端磁屏蔽之上的第一传感器结构、在第一传感器结构之上的第一中间磁屏蔽、在第一中间磁屏蔽之上的非磁间隔物、在非磁间隔物之上的第二中间磁屏蔽、在第二中间磁屏蔽之上的第二传感器结构以及在第二传感器结构之上的拖尾磁屏蔽。其它的系统、方法和计算机程序产品在其它的实施例中描述。

公开(公告)号：CN104658551A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410670221.X

申请日：2014-11-20

Applicant: HGST荷兰有限公司

Inventor： 真岛秀树 ,  芳田伸雄 ,  服部正志 ,  安田勉

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G11B5/3948

Abstract: 具有窄读取间隙结构的多读取传感器。在一个实施例中，磁头包括：定位在磁头的面向介质的表面处的下屏蔽层；定位在下屏蔽层上方的至少两个磁阻(MR)元件，每个MR元件沿元件高度方向从磁头的面向介质的表面延伸出去；定位在MR元件的每个的至少一个下层上方的沿元件高度方向离开磁头的面向介质的表面的一位置处的背布线层，其中背布线层构造为与MR元件电连通且构造为在读取操作其间从每个MR元件分别提取信号；和定位在MR元件上方的上屏蔽层，该上屏蔽层构造为与MR元件电连通。

公开(公告)号：CN1790044B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510124807.7

申请日：2005-11-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 休伯特·格里姆 ,  简·马里恩 ,  罗尔夫·谢弗

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11B5/022 ,  G11B5/00808 ,  G11B5/3948

Abstract: 本发明提供磁传感器、测量外磁场的方法及应用该磁传感器的装置。该磁传感器具有至少一个磁致电阻元件且利用特别设计的软磁材料结构。所述磁致电阻元件位于形成在第一和第二软磁材料结构之间的间隙附近且适于检测跨过所述间隙发出的间隙磁场。该间隙磁场的方向可基本不同于外加磁场的方向。因此该传感器可应用于将外加磁场局部重定向且偏转至所述磁致电阻元件基本灵敏的方向。如果外磁场指向基本平行于磁致电阻元件的表面法线的方向，这是特别适用的。此外，间隙磁场在外磁场的方向与参考方向之间的角度的大范围可表现出恒定的取向和恒定的幅度。因此，该磁传感器可用作南北传感器或者甚至北、东、南、西传感器，允许与取向灵敏磁致电阻元件结合明确确定磁场的方向。

公开(公告)号：CN1790044A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124807.7

申请日：2005-11-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 休伯特·格里姆 ,  简·马里恩 ,  罗尔夫·谢弗

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11B5/022 ,  G11B5/00808 ,  G11B5/3948

Abstract: 本发明提供磁传感器及测量外磁场的方法。本发明提供具有至少一个磁致电阻元件的磁传感器且利用特别设计的软磁材料结构。所述磁致电阻元件位于形成在第一和第二软磁材料结构之间的间隙附近且适于检测跨过所述间隙发出的间隙磁场。该间隙磁场的方向可基本不同于外加磁场的方向。因此该传感器可应用于将外加磁场局部重定向且偏转至所述磁致电阻元件基本灵敏的方向。如果外磁场指向基本平行于磁致电阻元件的表面法线的方向，这是特别适用的。此外，间隙磁场在外磁场的方向与参考方向之间的角度的大范围可表现出恒定的取向和恒定的幅度。因此，该磁传感器可用作南北传感器或者甚至北、东、南、西传感器，允许与取向灵敏磁致电阻元件结合明确确定磁场的方向。

公开(公告)号：CN104240723B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410247902.5

申请日：2014-06-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·A·兰茨 ,  S·傅勒 ,  J·杰里托 ,  G·谢吕比尼

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/39 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3929 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3958 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129

Abstract: 本发明涉及电流垂直平面式磁阻读取传感器，其中堆叠层沿堆叠方向延伸；平行于堆叠方向的堆叠的边缘表面还平行于读取传感器的支承面并形成其至少一部分，支承面设计成在操作中面向记录介质，堆叠层包括：第一触点层；铁磁性的自由层，其在第一触点层的上方；在铁磁性层上方的非磁性层；铁磁性的自旋注入层，在非磁性层上方；以及在自旋注入层上方的第二触点层，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿电流垂直于平面的方向、平行于堆叠方向流动，堆叠层还包括一系列结构，每个结构在第一触点层和自由层两者中形成，每个结构的边缘表面与堆叠的边缘表面齐平；该系列结构沿平行于支承面且垂直于堆叠方向的方向延伸。还涉及读取传感器的制造方法。

公开(公告)号：CN104424961A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410436160.0

申请日：2014-08-29

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： V·B·萨波日尼科夫 ,  H·埃德尔曼 ,  M·S·U·帕特瓦瑞

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3948 ,  G11B5/115 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3951 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/398 ,  G11B5/4886 ,  G11B2005/3996

Abstract: 本申请公开了双读取器结构。本文所描述和主张的实施方案提供了具有下传感器叠层和上传感器叠层的层叠式双读取器，其中所述下传感器叠层和上传感器叠层沿着下磁道方向成镜像。

公开(公告)号：CN1498429A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN02806836.X

申请日：2002-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松川望 ,  小田川明弘 ,  杉田康成 ,  里见三男 ,  川岛良男 ,  平本雅祥

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3948 ,  G11B2005/3996 ,  H01F41/302 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/115

Abstract: 本发明是提供磁阻特性比现有优越的磁阻元件，通过包含在330℃以上的热处理工序的方法制造、而且从非磁性层的中心线到一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面的最长距离为10nm以下。该元件例如在基板上作底膜，将该底膜在400℃以上进行热处理，在该底膜的表面上照射离子束而降低表面粗糙度，在其后，可以形成所述强磁性层以及所述非磁性层。在距非磁性层的界面2nm范围的强磁性层内，若添加M1(从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素)，所述最长距离相对地降低。

公开(公告)号：CN1112675C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN99100206.7

申请日：1999-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  广田荣一 ,  川分康博 ,  里见三男 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。

公开(公告)号：CN1310440A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：CN00129074.6

申请日：1996-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 哈德亚尔·S·基尔 ,  布鲁斯·A·格内

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3954 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种双磁电阻读传感器,其第一自旋阀结构包括:第一铁磁自由层;含有经反铁磁耦合层隔开的两层铁磁材料的第一铁磁钉扎层;第一非磁性导电间隔层,位于上述自由层和钉扎层之间;第一层反铁磁材料,与第一钉扎层中的第二层铁磁材料直接接触;第二自旋阀结构包括:第二铁磁自由层;第二铁磁钉扎层;第二非磁性导电间隔层,位于第二自由层和第二钉扎层之间;第二层反铁磁材料,与第二钉扎层直接接触;非磁性绝缘间隔层,位于第一自旋阀结构与第二自旋阀结构之间。

公开(公告)号：CN104567950B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201410555604.2

申请日：2014-10-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·齐默 ,  H·威特施尼格

IPC: G01D5/18

CPC classification number: G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3961 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: 实施例涉及一种包括层堆(600)的传感器装置，层堆(600)包括形成在共同基板(620)上的至少铁磁层和非磁层。传感器装置(600)还包括由层堆(600)的第一区段(611)提供的至少第一磁阻传感器元件(711)。第一磁阻传感器元件(711)这里被配置成生成第一信号。传感器装置(600)还包括由层堆(600)的第二区段(612)提供的第二磁阻传感器元件(712)。第二磁阻传感器元件(712)这里被配置成生成用于验证第一信号的第二信号。