公开(公告)号：CN106098083B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201610283732.5

申请日：2016-04-29

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  S.吴

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G01R33/098 ,  G11B5/33 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本公开提供了隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头。隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。

公开(公告)号：CN106098083A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610283732.5

申请日：2016-04-29

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  S.吴

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G01R33/098 ,  G11B5/33 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11B5/3935 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3987

Abstract: 本公开提供了隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头。隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。

公开(公告)号：CN103633240A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310366932.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  金基雄 ,  金英铉 ,  金晥均 ,  朴相奂

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。

公开(公告)号：CN100359566C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200510087864.2

申请日：2005-08-01

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 丹尼尔·莫里

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

CPC classification number: C23C14/025 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/081 ,  C23C14/34 ,  G11B5/3903 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/18 ,  H01F41/307 ,  H01F41/32 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种形成MTJ中隧道势垒的方法。作为磁隧道结的制造的一部分，在反应氧气(O2)中在“高电压”态下从Mg靶反应溅射沉积氧化镁隧道势垒，从而确保当Mg靶在其金属模式也就是没有或最小的氧化时发生该沉积。因为Mg靶的金属模式具有有限寿命，所以确定一组O2流速和相关联的溅射沉积时间，每个流速和沉积时间确保当Mg靶在其金属模式时发生该沉积并且产生已知的隧道势垒厚度。不需要的Mg靶氧化的开始和靶电压的下降相关联，因此也可通过监控靶电压并且当该电压达到预定值时终止向该靶的电源施加从而终止该溅射。

公开(公告)号：CN1167145C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN98108447.8

申请日：1998-05-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤雅重 ,  菊地英幸 ,  小林和雄

IPC: H01L43/00 ,  G11B5/33 ,  G11B5/37

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/332 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08

Abstract: 提供一种隧道结结构。第一磁性层形成于支撑衬底上。隧道绝缘层设置于第一磁性层上，隧道绝缘层含作为其一种组分的金属元素。第二磁性层设置于隧道绝缘层上。防止扩散层设置于第一磁性层和隧道绝缘层之间。防止扩散层抑制第一磁性层中的金属原子与隧道绝缘层中的金属原子的相互扩散。隧道绝缘层和防止扩散层都具有允许隧道电流在第一和第二磁性层之间流动的厚度。

公开(公告)号：CN1503912A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN02808235.4

申请日：2002-04-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉田康成 ,  平本雅祥 ,  松川望 ,  里见三男 ,  川岛良男 ,  小田川明弘

IPC: G01R33/09 ,  H01F10/12

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3916 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3231 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  Y10T428/115

Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100－aXa表示的铁磁材料M－X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为X1b2cX3d(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。

公开(公告)号：CN1106635C

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN97111667.9

申请日：1997-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上口裕三 ,  齐藤和浩 ,  福泽英明 ,  福家广美 ,  岩崎仁志 ,  佐桥政司

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3916 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中，软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件：∑(Ms×d×Hk)＞30〔T nm Oe〕，并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造，从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。

公开(公告)号：CN1268735A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN00104384.6

申请日：2000-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 穆斯塔法·皮那巴斯

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/58

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11B20/10 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295

Abstract: AP钉扎层结构的第一和第二反平行(AP)钉扎层是钴铁(CoFe),其提高自旋阀传感器的GMR(巨磁电阻系数dr/R)10%,并具有比第一和第二AP钉扎层是钴(Co)时的自旋阀传感器更高的磁稳定性。

公开(公告)号：CN1182262A

公开(公告)日：1998-05-20

申请号：CN97111667.9

申请日：1997-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上口裕三 ,  齐藤和浩 ,  福泽英明 ,  福家广美 ,  岩崎仁志 ,  佐桥政司

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3916 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中,软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件:∑(Ms×d×Hk)>30[TnmOe],并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造,从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。

公开(公告)号：CN103178205B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210560542.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： X.唐 ,  D.阿帕阔 ,  S.M.瓦特斯 ,  K.穆恩 ,  V.尼基丁

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295

Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。