公开(公告)号：CN106098083B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201610283732.5

申请日：2016-04-29

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  S.吴

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G01R33/098 ,  G11B5/33 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本公开提供了隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头。隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。

公开(公告)号：CN106098083A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610283732.5

申请日：2016-04-29

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  S.吴

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G01R33/098 ,  G11B5/33 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11B5/3935 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3987

Abstract: 本公开提供了隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头。隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。

公开(公告)号：CN105679336A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510886049.6

申请日：2015-12-04

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  S.吴 ,  冈村进

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 隧穿磁阻(TMR)读头具有减小厚度的读间隙。多层的籽层包括在下屏蔽上的铁磁的第一籽层、在第一籽层上的铁磁的NiFe合金以及在NiFe籽层上的Ru或Pt的第三籽层。第一籽层和NiFe籽层是下屏蔽的磁性部分，从而有效地减小读间隙厚度。自由层/覆盖层结构包括多层的铁磁的自由层和在自由层上的Hf覆盖层。自由层在退火之前包括与Hf覆盖层接触的包含B的上层。当传感器被退火时，Hf扩散到包含B的上层，形成界面层。含Hf的界面层具有负磁致伸缩，所以自由层不需要包含NiFe。