公开(公告)号：CN106098083A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610283732.5

申请日：2016-04-29

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  S.吴

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G01R33/098 ,  G11B5/33 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11B5/3935 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3987

Abstract: 本公开提供了隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头。隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。

公开(公告)号：CN1439157A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN01811971.9

申请日：2001-05-24

Applicant: 西加特技术有限责任公司

Inventor： D·麦肯 ,  A·B·约翰斯顿 ,  H·S·埃德尔曼

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3938 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3935

Abstract: 一磁性传感器包括磁阻传感器元件(160)和与该磁阻传感器元件(160)连接的电触头，以便检测磁阻元件对磁场的响应。一磁屏蔽(150)位于磁阻元件(160)的附近，以便使磁阻元件(160)与杂散的磁场隔开。该屏蔽(150)具有基本稳定的磁畴图形。一屏蔽通量取样器(180)一般位于屏蔽(150)的平面里并通过一间隙(182)与屏蔽(150)隔开。