公开(公告)号：CN1292403C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN03107800.1

申请日：2003-04-03

Applicant: 西加特技术有限责任公司

Inventor： P·K·M·麦吉恩 ,  A·M·贝尔 ,  A·B·约翰斯顿

IPC: G11B5/265 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3163

Abstract: 一种垂直写入磁头，它包括一主磁极、一返回磁极以及导电线圈。主磁极包括一籽晶层和一电镀在籽晶层上的磁性层。籽晶层是非磁性、导电及防腐蚀的。返回磁极在写入磁头的空气承载表面处与主磁极隔开一间隔，并空气承载表面相对之处与主磁极相连。导线线圈至少部分地位于主磁极和返回磁极之间。

公开(公告)号：CN1107307C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97182159.3

申请日：1997-09-04

Applicant: 西加特技术有限责任公司

Inventor： D·麦肯 ,  A·B·约翰斯顿

IPC: G11B5/29 ,  G11B5/127 ,  G11B5/147

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3903

Abstract: 磁性存储装置(10)中的换能器(56)包括具有有效区(65)的细长磁阻元件(64)。第一和第二电触点(66)在有效区(65)的两侧耦合到细长磁阻元件(64)。底部感应写磁极和共享屏蔽(72)靠近于细长磁阻元件(64)且包括主体区(122)和靠近有效区(65)的磁极尖端区(120)。共享屏蔽(72)包括在磁极尖端区(120)和主体区(122)之间限定的凹槽(124)，从而提高磁极尖端区(120)中的磁稳定性。顶部感应写磁极(79)与底部感应写磁极和共享屏蔽(72)隔开以形成磁隙缝，磁极尖端区(120)由于感应地写信息。

公开(公告)号：CN1508774A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN03107800.1

申请日：2003-04-03

Applicant: 西加特技术有限责任公司

Inventor： P·K·M·麦吉恩 ,  A·M·贝尔 ,  A·B·约翰斯顿

IPC: G11B5/265 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3163

Abstract: 一种垂直写入头，它包括一主磁极、一返回磁极以及导电线圈。主磁极包括一籽晶层和一电镀在籽晶层上的磁性层。籽晶层是非磁性、导电及防腐蚀的。返回磁极在写入头的空气承载表面处与主磁极隔开一间隔，并空气承载表面相对之处与主磁极相连。导线线圈至少部分地位于主磁极和返回磁极之间。

公开(公告)号：CN1439157A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN01811971.9

申请日：2001-05-24

Applicant: 西加特技术有限责任公司

Inventor： D·麦肯 ,  A·B·约翰斯顿 ,  H·S·埃德尔曼

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3938 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3935

Abstract: 一磁性传感器包括磁阻传感器元件(160)和与该磁阻传感器元件(160)连接的电触头，以便检测磁阻元件对磁场的响应。一磁屏蔽(150)位于磁阻元件(160)的附近，以便使磁阻元件(160)与杂散的磁场隔开。该屏蔽(150)具有基本稳定的磁畴图形。一屏蔽通量取样器(180)一般位于屏蔽(150)的平面里并通过一间隙(182)与屏蔽(150)隔开。