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公开(公告)号：CN115497947A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210664194.X
申请日：2022-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：衬底；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括位于所述衬底上的第一栅电极；以及第二堆叠结构，所述第二堆叠结构位于所述第一堆叠结构上；其中，所述第一堆叠结构包括第一下阶梯区域、第二下阶梯区域和第三下阶梯区域，所述第二堆叠结构包括第一上阶梯区域、第二上阶梯区域、第三上阶梯区域以及穿透所述第二堆叠结构并且位于所述第一下阶梯区域至所述第三下阶梯区域上的至少一个穿通部分，所述第一下阶梯区域具有与所述第一上阶梯区域的形状相同的形状，所述第二下阶梯区域具有与所述第二上阶梯区域的形状相同的形状，并且所述第三下阶梯区域具有与所述第三上阶梯区域的形状相同的形状。
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公开(公告)号：CN113937215A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110740750.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：钉扎层；自由层；钉扎层和自由层之间的隧道势垒层；第一氧化物层，与隧道势垒层间隔开，其中自由层在第一氧化物层和隧道势垒层之间；以及第二氧化物层，与自由层间隔开，其中第一氧化物层在第二氧化物层和自由层之间。第一氧化物层包括第一材料的氧化物，并且第一氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第二氧化物层可以包括第二材料的氧化物，并且第二氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第一材料的第一氧亲和性可以大于第二材料的第二氧亲和性。
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公开(公告)号：CN107017337B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN109750263A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811287314.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了溅射装置和制造磁存储器件的方法。溅射装置包括：处理室；平台，位于处理室中并且被配置为在自身上加载基板；以及，第一溅射枪，位于处理室中的基板上方。第一溅射枪与基板水平地间隔开。第一溅射枪包括第一靶，第一靶包括第一端和第二端，第一端比第二端在水平投影平面上更靠近基板。第一靶的第一表面相对于基板的顶表面倾斜。第一靶的第二端相对于基板的顶表面的高度与第一靶的第一端相对于基板的顶表面的高度不同。
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公开(公告)号：CN118830013A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380026112.1
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示装置可以包括：显示模块，包括衬底，多个发光二极管安装在衬底上；柜，被设置为支撑显示模块；以及电路壳体，在其中容纳电组件，并且耦接到柜。电路壳体被设置为能够从柜的前部拆卸并且能够安装到柜的前部，并且电路壳体可以被设置为能够从柜的后部拆卸并且能够安装到柜的后部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116419657A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211510412.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有相对高的隧穿磁阻(TMR)率。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的钉扎层；与所述钉扎层的第一表面接触地设置的晶种层；设置成面对所述钉扎层的第二表面的自由层；以及设置在所述钉扎层和所述自由层之间的隧道势垒层，其中所述晶种层包括面对所述钉扎层的第一表面的第一晶种层以及在所述第一晶种层和所述钉扎层之间的第二晶种层，所述第一晶种层包括CoFeX且不包括硼(B)，并且X包括选自铌(Nb)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、锆(Zr)、和铪(Hf)的至少一种元素。所述晶种层可不包括硼，且所述第二晶种层包括非晶钽(Ta)。
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公开(公告)号：CN107871743A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710864922.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11582 , H01L27/11556
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/02636 , H01L21/283 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/249 , H01L27/115 , H01L27/11556
Abstract: 提供了一种制造三维半导体器件的方法。该方法包括：提供具有外围电路区和单元阵列区的基板；在基板的外围电路区上形成外围结构；以及在单元阵列区上形成电极结构。电极结构包括下电极、在下电极上的下绝缘平坦化层、以及竖直地且交替地堆叠在下绝缘平坦化层上的上电极和上绝缘层，下绝缘平坦化层可以延伸以覆盖外围电路区上的外围结构。上绝缘平坦化层被形成为覆盖电极结构和外围电路区上的下绝缘平坦化层。
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公开(公告)号：CN103633240B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310366932.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/3295 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。
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公开(公告)号：CN119836218A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411252440.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供磁隧道结器件和包括所述磁隧道结器件的存储设备。所述磁隧道结器件包括种子层、在所述种子层上的被钉扎层、面向所述被钉扎层的自由层、以及在所述被钉扎层和自由层之间的隧道势垒层，其中所述种子层包括第一种子层以及在所述第一种子层和所述被钉扎层之间的第二种子层，并且所述第一种子层和所述第二种子层中的一个包括铼(Re)，并且所述第一种子层和所述第二种子层中的另一个包括钌(Ru)。
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