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公开(公告)号：CN119947283A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411521008.2
申请日：2024-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底；第一像素，其设置在衬底中，第一像素包括第一光电转换区；第二像素，其设为在衬底中邻近于第一像素，第二像素包括第二光电转换区；第一像素中的第一浮置扩散区；第二像素中的第二浮置扩散区；衬底上的绝缘层；以及穿过绝缘层并且连接至第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的第一埋置连接件，其中，第一埋置连接件包括上表面和下表面，第一埋置连接件的上表面处于高于绝缘层的上表面的竖直水平处，并且第一埋置连接件的下表面处于高于或等于绝缘层的下表面的竖直水平处。
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公开(公告)号：CN110931499B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201910869142.4
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域，上绝缘层位于堆叠结构上，覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度，第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。
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公开(公告)号：CN109427794B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201810940714.9
申请日：2018-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种包括绝缘覆盖结构的半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：在衬底上垂直层叠的多个栅电极；绝缘覆盖结构，其位于所述多个栅电极上。所述绝缘覆盖结构可以包括第一上表面和第二上表面。所述第一上表面和所述衬底之间的第一距离可以大于所述第二上表面和衬底之间的第二距离。所述第一上表面可以不与所述第二上表面重叠。该半导体器件可以包括存储单元垂直结构，其穿过所述第一上表面、所述多个栅电极和所述绝缘覆盖结构。所述存储单元垂直结构可以与所述第二上表面间隔开。该半导体器件可以包括位线，其与所述存储单元垂直结构电连接。
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公开(公告)号：CN104347717B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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公开(公告)号：CN119923000A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202410925959.X
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器和包括该图像传感器的电子系统。图像传感器包括单位像素、传感器阵列区域和电容器区域，单位像素分别包括位于具有前侧表面和后侧表面的基底中的光电二极管，传感器阵列区域包括被构造为将单位像素彼此隔离并垂直穿透基底的至少一个隔离结构，电容器区域在与基底的后侧表面平行的水平方向上与传感器阵列区域邻近地布置，并且包括在基底的前侧表面上的至少一个电容器和与所述至少一个电容器邻近以垂直穿透基底的至少一个虚设隔离结构，其中，所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构中的每个的一个端表面与基底的后侧表面共面，并且所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构包括相同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427794A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810940714.9
申请日：2018-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L21/48 , H01L23/48
Abstract: 提供一种包括绝缘覆盖结构的半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：在衬底上垂直层叠的多个栅电极；绝缘覆盖结构，其位于所述多个栅电极上。所述绝缘覆盖结构可以包括第一上表面和第二上表面。所述第一上表面和所述衬底之间的第一距离可以大于所述第二上表面和衬底之间的第二距离。所述第一上表面可以不与所述第二上表面重叠。该半导体器件可以包括存储单元垂直结构，其穿过所述第一上表面、所述多个栅电极和所述绝缘覆盖结构。所述存储单元垂直结构可以与所述第二上表面间隔开。该半导体器件可以包括位线，其与所述存储单元垂直结构电连接。
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公开(公告)号：CN103295879A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310020701.7
申请日：2013-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/02074 , H01L21/76861
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。
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公开(公告)号：CN118412360A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410048048.3
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括有源像素区域和围绕有源像素区域的外围区域；金属层，在基底的外围区域上；下反射层，在基底和金属层上；共振层，在下反射层上；以及上反射层，在共振层上，其中，共振层在有源像素区域上具有在与基底的上表面垂直的垂直方向上的第一厚度，并且在外围区域上具有在所述垂直方向上的第二厚度，并且第一厚度大于第二厚度。
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公开(公告)号：CN111872851B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201911316149.X
申请日：2019-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B24B53/017 , B24B37/10
Abstract: 提供了一种化学机械抛光(CMP)装置的修整器和一种包括该修整器的CMP装置。所述修整器包括：盘，所述盘用于对所述CMP装置的抛光垫进行修整；驱动器，所述驱动器用于使所述盘旋转；升降器，所述升降器用于升降所述驱动器；臂，所述臂用于使所述升降器旋转；以及连接器，所述连接器用于将所述驱动器连接到所述升降器，所述驱动器相对于所述升降器是可倾斜的。
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公开(公告)号：CN117352493A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310811938.0
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B12/00
Abstract: 提供了一种包括互连结构的半导体器件。该半导体器件包括：下结构；中间绝缘结构，该中间绝缘结构位于下结构上；中间互连结构，该中间互连结构穿透中间绝缘结构；上绝缘结构，该上绝缘结构位于中间绝缘结构和中间互连结构上；以及上导电图案，该上导电图案穿透上绝缘结构并且电连接到中间互连结构，其中，中间绝缘结构包括中间蚀刻停止层和在该中间蚀刻停止层上的中间绝缘层，该中间绝缘层包括第一中间材料层和第二中间材料层，该第二中间材料层的上表面与第一中间材料层的上表面共面，该中间互连结构穿透第一中间材料层和中间蚀刻停止层，并且第一中间材料层的材料的介电常数高于第二中间材料层的材料的介电常数。
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