公开(公告)号：CN103295879A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310020701.7

申请日：2013-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  李根泽 ,  高镛璿 ,  金弘镇 ,  裴相元 ,  安时庆 ,  梁凖烈 ,  韩索 ,  金保延 ,  洪命基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76861

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。