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公开(公告)号：CN115083884A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210080399.3
申请日：2022-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金哲
IPC: H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，均包括第一侧壁和第二侧壁；场绝缘层，场绝缘层围绕第一有源图案和第二有源图案中的每一者的侧壁；第一坝，第一坝位于第一有源图案与第二有源图案之间并且具有比场绝缘层的上表面低的下表面；第二坝，第二坝与第一有源图案的第一侧壁间隔开并且具有比场绝缘层的上表面低的下表面；第一栅电极，第一栅电极在第一有源图案与第二有源图案之间位于第一坝上；第二栅电极，第二栅电极与第一栅电极间隔开；以及第一栅极切口，第一栅极切口与第一有源图案和第二有源图案中的每一者的第一侧壁中的每一者间隔开并且与第一栅电极和第二栅电极中的每一者相交。
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公开(公告)号：CN114914241A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111546317.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；第二有源图案，在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上与第一有源图案相邻；场绝缘膜，置于第一有源图案和第二有源图案之间；第一栅极结构，与第一有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第一栅电极和第一栅极间隔物；第二栅极结构，与第二有源图案交叉，沿第二方向延伸，并包括第二栅电极和第二栅极间隔物；栅极分隔结构，置于第一栅极结构和第二栅极结构之间的场绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN110265394A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201811058096.1
申请日：2018-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供了一种集成电路装置及其形成方法。所述集成电路(IC)装置包括：在衬底上沿着第一方向彼此相邻的第一区域和第二区域；在所述第一区域和所述第二区域中的每一个中沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的鳍图案；沿着所述第一方向延伸并且与所述鳍图案相交的栅电极；以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的隔离区域，所述隔离区域的底部相对于所述衬底的底部具有不均一的高度。
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公开(公告)号：CN119852245A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410498253.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的顶表面上，并且具有小于第一半导体芯片的宽度；以及模制层，在第一半导体芯片上，并且围绕第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一半导体衬底和在第一半导体衬底的顶表面上的第一电路层。第一半导体衬底包括与第一半导体衬底的顶表面相邻的第一部分和与第一半导体衬底的底表面相邻的第二部分。第一部分和第二部分包括相同的半导体材料。第一部分具有单晶结构。第二部分可以具有多晶结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265394B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201811058096.1
申请日：2018-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供了一种集成电路装置及其形成方法。所述集成电路(IC)装置包括：在衬底上沿着第一方向彼此相邻的第一区域和第二区域；在所述第一区域和所述第二区域中的每一个中沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的鳍图案；沿着所述第一方向延伸并且与所述鳍图案相交的栅电极；以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的隔离区域，所述隔离区域的底部相对于所述衬底的底部具有不均一的高度。
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公开(公告)号：CN115588693A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210701452.7
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，具有分别沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向布置的第一沟道结构和第二沟道结构；第一栅极结构，在衬底上设置在第一沟道结构上并沿第二方向延伸；第二栅极结构，设置在第二沟道结构上并沿第二方向延伸；第一源/漏区，分别设置在第一栅极结构的相对侧上；第二源/漏区，分别设置在第二栅极结构的相对侧上；栅极分离图案，设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间，并且具有位于比第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个的上表面的高度低的高度处的上表面；以及栅极封盖层，设置在第一栅极结构和第二栅极结构上，并且具有在第一栅极结构与第二栅极结构之间延伸以连接到栅极分离图案的延伸部分。
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公开(公告)号：CN104347717B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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公开(公告)号：CN107452797A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710286361.0
申请日：2017-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/165 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/78 , H01L29/42356
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括具有有源图案的衬底、交叉有源图案的导电图案、在导电图案的至少一个侧表面上的间隔物结构、以及在导电图案上的封盖结构。封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案设置在第一封盖图案的顶表面和间隔物结构的顶表面上。
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公开(公告)号：CN103034364A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210382999.1
申请日：2012-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/041 , G09G3/36 , G02F1/1333
CPC classification number: G06F3/0416 , G02F1/13338 , G06F3/044
Abstract: 一种用于驱动触摸显示面板的方法包含：向多条栅极线顺序地提供栅极信号；向多条数据线输出数据信号，所述数据线被放置在所述第一表面上并且与所述栅极线相交；以及响应于所述栅极信号，通过多条感测线读出第一感测信号。所述栅极线被放置在基底的第一表面上，所述触摸显示面板包括所述基底。所述数据信号与所述栅极信号同步。所述感测线被放置在所述基底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对。
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