公开(公告)号：CN104347717B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN118053875A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311511787.3

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁明 ,  郑明勋 ,  宋胜旼 ,  尹承灿 ,  朴世廷 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件和制造其的方法。该3DSFET器件包括：在衬底上的第一源极/漏极区和在第一源极/漏极区上的第二源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区上的第一源极/漏极接触结构和在第二源极/漏极区上的第二源极/漏极接触结构，其中第二源极/漏极区通过中间层结构与第一源极/漏极区隔离，以及其中间隔物在第一源极/漏极接触结构和第二源极/漏极接触结构之间形成在第二源极/漏极接触结构的侧壁的上部处。

公开(公告)号：CN109285848A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810503286.3

申请日：2018-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  朴世廷 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/441 ,  H01L51/447 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。

公开(公告)号：CN118841397A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410347594.7

申请日：2024-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰铭 ,  徐康一 ,  朴世廷

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路装置和形成其的方法。该集成电路装置可以包括：下金属布线；上金属布线，在下金属布线上；金属过孔，在下金属布线与上金属布线之间，金属过孔包括分别接触下金属布线和上金属布线的下表面和上表面；以及阻挡层，在金属过孔的侧表面上延伸。阻挡层的上部可以向上延伸超过上金属布线的下表面。

公开(公告)号：CN118553718A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410197552.X

申请日：2024-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  洪元赫 ,  朴金锡 ,  朴世廷 ,  徐康一

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：沟道结构；源区/漏区，通过沟道结构连接；以及背侧接触结构，形成在源区/漏区中的至少一个下方，其中，在第一方向剖视图中，背侧接触结构的靠近源区/漏区的上部的宽度小于背侧接触结构的远离源区/漏区的下部的宽度，其中，在第二方向剖视图中，背侧接触结构的上部的宽度和背侧接触结构的下部的宽度沿着竖直向下的方向基本均匀，并且其中，第一方向与第二方向相交。

公开(公告)号：CN109285848B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201810503286.3

申请日：2018-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  朴世廷 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。

公开(公告)号：CN108690505A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810269562.4

申请日：2018-03-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 文斗植 ,  朴尚铉 ,  尹普彦 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  李载鹤 ,  黄珍明

IPC: C09G1/02

Abstract: 提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，所述浆料组合物包括：陶瓷抛光颗粒；分散剂；pH控制剂；以及与氮化硅具有亲和性的添加剂。

公开(公告)号：CN104347717A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。