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公开(公告)号：CN109285848A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810503286.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/441 , H01L51/447 , H01L27/14601
Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN109285848B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810503286.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN110164904B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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公开(公告)号：CN101179050A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710167818.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115763503A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211067322.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：包括多个像素区的半导体基板；在半导体基板上的抗反射层；提供在抗反射层上和像素区中的滤色器；以及设置在滤色器中的相邻滤色器之间的栅栏结构，其中栅栏结构包括：穿透抗反射层的下部；在抗反射层上的上部；以及在下部与上部之间的中间部，其中栅栏结构具有底切区，该底切区提供在中间部的两侧并且在栅栏结构的上部与抗反射层的顶表面之间。
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公开(公告)号：CN111081726A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910988523.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明构思提供一种基于结构光(SL)的三维(3D)图像传感器，具有其中布线层的制造工艺的难度降低和/或电容器的底部焊盘的区域增加的结构。所述3D图像传感器包括：包括半导体衬底中的光电二极管和栅极组的像素区域，栅极组包括多个栅极；在像素区域的上部上的多重布线层，多重布线层包括至少两个布线层；以及位于作为多重布线层中的最低布线层的第一布线层和在第一布线层上的第二布线层之间的电容器结构，电容器结构包括底部焊盘、顶部焊盘和多个电容器，其中，底部焊盘连接至第一布线层。
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公开(公告)号：CN117790520A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311238056.6
申请日：2023-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括传感器基板、在传感器基板上的间隔物层、以及在间隔物层上并配置为基于光的波长分离光的颜色分离透镜阵列，其中颜色分离透镜阵列包括：第一透镜层，包括多个第一纳米柱和在所述多个第一纳米柱周围的第一周边材料层；化学机械抛光(CMP)停止层，在第一周边材料层上；蚀刻停止层，在CMP停止层的上表面上并直接在所述多个第一纳米柱中的每个第一纳米柱的上表面上；以及在蚀刻停止层上的第二透镜层，第二透镜层包括多个第二纳米柱和在所述多个第二纳米柱周围的第二周边材料层。
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公开(公告)号：CN110164904A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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公开(公告)号：CN101179050B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710167818.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。
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