公开(公告)号：CN110880519B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910500928.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。

公开(公告)号：CN117913111A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311353278.2

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉宽 ,  朴仁用 ,  表真善 ,  李范硕 ,  李圣恩 ,  赵寅成

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器及其制造方法。例如，图像传感器可以包括：具有彼此相对的第一表面和第二表面的第一基板；提供在第一基板中并且排列成像素组的多个像素，每个像素组包括排列成两列和两行的四个像素；像素分离结构，在第一基板中并且包括将每个像素组与相邻像素组分离的像素组分离部分和将每个像素组中的像素彼此分离的像素分离部分；以及在第一表面上并分别与多个像素组重叠的多个微透镜。每个微透镜包括具有第一曲率的中心部分和具有第二曲率的边缘部分。第一曲率小于第二曲率。

公开(公告)号：CN109801933A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。

公开(公告)号：CN109285848A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810503286.3

申请日：2018-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  朴世廷 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/441 ,  H01L51/447 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。

公开(公告)号：CN118412360A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410048048.3

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东灿 ,  权炳昊 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括有源像素区域和围绕有源像素区域的外围区域；金属层，在基底的外围区域上；下反射层，在基底和金属层上；共振层，在下反射层上；以及上反射层，在共振层上，其中，共振层在有源像素区域上具有在与基底的上表面垂直的垂直方向上的第一厚度，并且在外围区域上具有在所述垂直方向上的第二厚度，并且第一厚度大于第二厚度。

公开(公告)号：CN109285848B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201810503286.3

申请日：2018-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  朴世廷 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。

公开(公告)号：CN110556397B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910160093.7

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  李范硕 ,  林海敏 ,  赵万根

IPC: H10K39/32 ,  H10K39/38

Abstract: 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。

公开(公告)号：CN109728013B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201811215139.2

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  张刚 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32

Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。

公开(公告)号：CN115708215A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202210865470.9

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相千 ,  朴成凤 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：像素，平行于基底的上表面布置；以及像素隔离膜，设置在像素之间。每个像素包括：浮置扩散区域，掺杂有第一导电类型的杂质；传输栅极结构，邻近于浮置扩散区域；以及晶体管。传输栅极结构包括：传输栅电极层；传输栅极绝缘层；以及传输栅极间隔件，在与基底的上表面平行的第一方向上邻近于传输栅极绝缘层，并且传输栅极间隔件的一部分设置在浮置扩散区域与传输栅电极层之间。在每个像素中，连接到浮置扩散区域的浮置扩散接触件在第一方向上设置成与邻近于传输栅极结构相比更邻近于像素隔离膜。

公开(公告)号：CN119923000A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202410925959.X

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白周铉 ,  金东灿 ,  李范硕 ,  权炳昊 ,  李昌圭 ,  郑挥永

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/18

Abstract: 公开了图像传感器和包括该图像传感器的电子系统。图像传感器包括单位像素、传感器阵列区域和电容器区域，单位像素分别包括位于具有前侧表面和后侧表面的基底中的光电二极管，传感器阵列区域包括被构造为将单位像素彼此隔离并垂直穿透基底的至少一个隔离结构，电容器区域在与基底的后侧表面平行的水平方向上与传感器阵列区域邻近地布置，并且包括在基底的前侧表面上的至少一个电容器和与所述至少一个电容器邻近以垂直穿透基底的至少一个虚设隔离结构，其中，所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构中的每个的一个端表面与基底的后侧表面共面，并且所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构包括相同的材料。