公开(公告)号：CN110880519B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910500928.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。

公开(公告)号：CN117913111A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311353278.2

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉宽 ,  朴仁用 ,  表真善 ,  李范硕 ,  李圣恩 ,  赵寅成

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器及其制造方法。例如，图像传感器可以包括：具有彼此相对的第一表面和第二表面的第一基板；提供在第一基板中并且排列成像素组的多个像素，每个像素组包括排列成两列和两行的四个像素；像素分离结构，在第一基板中并且包括将每个像素组与相邻像素组分离的像素组分离部分和将每个像素组中的像素彼此分离的像素分离部分；以及在第一表面上并分别与多个像素组重叠的多个微透镜。每个微透镜包括具有第一曲率的中心部分和具有第二曲率的边缘部分。第一曲率小于第二曲率。

公开(公告)号：CN109801933A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。

公开(公告)号：CN109285848A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810503286.3

申请日：2018-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  朴世廷 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  边炅来 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/441 ,  H01L51/447 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。

公开(公告)号：CN109801933B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。

公开(公告)号：CN108281434B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201810010650.2

申请日：2018-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光敏 ,  权锡镇 ,  朴惠允 ,  李范硕 ,  任东模

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。

公开(公告)号：CN116266601A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211645422.5

申请日：2022-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉宽 ,  金铉哲 ,  金埈弘 ,  李光敏 ,  李范硕 ,  赵寅成 ,  表真善

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电二极管，在衬底中；电路和布线结构，在衬底的第一表面下方；绝缘结构，在衬底的第二表面上；多个滤色器，在绝缘结构上；以及网格结构，在绝缘结构上，其中，网格结构的至少一部分在相邻滤色器之间，其中，多个滤色器包括被配置为选择性地透射与不同颜色相关联的不同波长光谱的光的第一滤色器和第二滤色器，其中，绝缘结构包括具有各自不同的第一厚度和第二厚度的第一区域和第二区域以及在第一区域与第二区域之间的边界区域，该边界区域与第一滤色器竖直重叠，并从网格结构的竖直中心轴水平偏移。

公开(公告)号：CN114551485A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111305868.9

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任东模 ,  金慈明 ,  朴钟银 ,  李范硕 ,  曹官植

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。

公开(公告)号：CN111029365A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910959825.9

申请日：2019-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰渊 ,  金昶和 ,  金宰浩 ,  朴相千 ,  李贵德 ,  李范硕 ,  李宰圭 ,  笕和宪

IPC: H01L27/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。

公开(公告)号：CN109786410A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811299648.8

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商秀 ,  金政勋 ,  金昶和 ,  李范硕 ,  张刚 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/307

Abstract: 提供了一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电器件，设置在半导体基底内；以及分离结构和电极结构，设置在半导体基底内，并围绕光电器件。分离结构包括第一导电图案和位于第一导电图案与半导体基底之间的第一绝缘分隔件。电极结构中的相应的一个包括第二导电图案和位于第二导电图案与半导体基底之间的第二绝缘分隔件。第一导电图案和第二导电图案由相同的导电材料形成。