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公开(公告)号：CN116266601A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211645422.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电二极管，在衬底中；电路和布线结构，在衬底的第一表面下方；绝缘结构，在衬底的第二表面上；多个滤色器，在绝缘结构上；以及网格结构，在绝缘结构上，其中，网格结构的至少一部分在相邻滤色器之间，其中，多个滤色器包括被配置为选择性地透射与不同颜色相关联的不同波长光谱的光的第一滤色器和第二滤色器，其中，绝缘结构包括具有各自不同的第一厚度和第二厚度的第一区域和第二区域以及在第一区域与第二区域之间的边界区域，该边界区域与第一滤色器竖直重叠，并从网格结构的竖直中心轴水平偏移。
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公开(公告)号：CN115706122A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210556608.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一像素域和第二像素域，所述第一像素域包括第一像素并且所述第二像素域包括第二像素；第一滤色器，所述第一滤色器设置在所述衬底的第一表面上，并与所述第一像素垂直地交叠；第一微透镜，所述第一微透镜设置在所述第一滤色器和每个所述第一像素上；以及第二微透镜，所述第二微透镜设置在所述衬底的所述第一表面上，并与每个所述第二像素的至少一部分垂直地交叠，其中，所述第二微透镜的第二折射率大于所述第一微透镜的第一折射率，其中，所述第一微透镜的最上部分与所述第二微透镜的最上部分之间的水平高度差小于等于所述第一微透镜的最大高度的大约2％。
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公开(公告)号：CN110890389B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201910747082.9
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括多个滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和使所述多个滤色器彼此分离的上部。栅栏图案的上部的宽度可以大于下部的宽度。
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公开(公告)号：CN117913111A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311353278.2
申请日：2023-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器及其制造方法。例如，图像传感器可以包括：具有彼此相对的第一表面和第二表面的第一基板；提供在第一基板中并且排列成像素组的多个像素，每个像素组包括排列成两列和两行的四个像素；像素分离结构，在第一基板中并且包括将每个像素组与相邻像素组分离的像素组分离部分和将每个像素组中的像素彼此分离的像素分离部分；以及在第一表面上并分别与多个像素组重叠的多个微透镜。每个微透镜包括具有第一曲率的中心部分和具有第二曲率的边缘部分。第一曲率小于第二曲率。
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公开(公告)号：CN115995475A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211272059.7
申请日：2022-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板；像素隔离图案，在基板中并在基板中限定多个单位像素区；多个滤色器，在基板上并分别对应于所述多个单位像素区；低折射率图案，在所述多个滤色器中的相邻的滤色器之间以使所述相邻的滤色器至少部分地隔开而不彼此直接接触；在基板和所述多个滤色器之间的绝缘结构；以及与像素隔离图案垂直地重叠的光阻挡图案。光阻挡图案在绝缘结构内并与低折射率图案隔开而不直接接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447005A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111208663.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一衬底，包括聚焦像素区域和在聚焦像素区域周围的像素区域，聚焦像素区域和像素区域中的每个包括至少一个光电转换区域；滤色器，分别提供在聚焦像素区域和像素区域上，并提供在第一衬底的第一表面上；以及微透镜，分别提供在滤色器上。微透镜包括在聚焦像素区域上的自动聚焦透镜、与自动聚焦透镜相邻的第一微透镜、以及与自动聚焦透镜间隔开的标准微透镜。
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公开(公告)号：CN110890389A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910747082.9
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以包括：多个单元像素；滤色器阵列，设置在所述多个单元像素上，滤色器阵列包括多个滤色器；抗反射层，设置在所述多个单元像素与滤色器阵列之间；以及栅栏图案，包括埋在抗反射层中的下部和使所述多个滤色器彼此分离的上部。栅栏图案的上部的宽度可以大于下部的宽度。
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公开(公告)号：CN117995856A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311402440.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括多个光电转换器件；滤色器，布置在基底上；反射吸收层，在滤色器上并且包括钨、钛和铝中的至少一种；抗反射层，布置在反射吸收层上；以及多个微透镜，在抗反射层上。滤色器可以包括在与基底的后表面平行的第一方向上延伸的多个介电层，多个介电层在与基底的后表面垂直并与第一方向垂直的第二方向上具有不同的厚度，使得多个介电层包括在第二方向上具有沿着第一方向变化的厚度的至少一个介电层。
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公开(公告)号：CN115643785A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210649427.9
申请日：2022-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括：在衬底上形成绝缘中间层；形成延伸穿过绝缘中间层的接触插塞；形成覆盖接触插塞的上表面的第一阻挡层，第一阻挡层包括非晶材料；在第一阻挡层上形成下电极层；以及在下电极层上形成磁隧道结结构层。
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公开(公告)号：CN112117287A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010227364.9
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括基底、网格结构和滤色器。基底包括限定像素区域的像素分离结构和针对每个像素区域的子像素区域。网格结构设置在基底上，并且包括设置在子像素区域之间的第一栅栏部分和设置在相邻的像素区域之间的第二栅栏部分。网格结构限定分别与子像素区域对应的开口。滤色器设置在由网格结构限定的开口中。每个滤色器具有平坦的顶表面，每个滤色器的平坦的顶表面平行于其底表面。
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