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公开(公告)号：CN116110917A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211397051.3
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 一种图像传感器包括包含多个光电转换元件的基板和设置在基板上的可变滤光器层。可变滤光器层包括：多个第一电极，在第一方向上延伸并在第二方向上具有第一宽度；设置在所述多个第一电极上的第一电光材料层；设置在第一电光材料层上的透光电极；设置在透光电极上的第二电光材料层、以及多个第二电极，设置在第二电光材料层上，在第二方向上延伸，并在第一方向上具有第二宽度。
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公开(公告)号：CN106959488A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610971029.3
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12
Abstract: 一种光学集成电路(IC)封装，包括：光学IC，其包括光学IC衬底；电气集成电路器件(EICD)，其在光学IC衬底上；至少一个光学器件，其与光学IC衬底上的EICD间隔；光学接口，其在光学IC衬底的第一侧上；电气接口，其定位在光学IC衬底的第二侧上；和封装构件，其被配置为封装光学IC、EICD、至少一个光学器件、光学接口和电气接口。
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公开(公告)号：CN101373637B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810134074.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种读取存储单元数据的方法和非易失性存储装置，所述装置将低电压施加到与可从其读取数据的存储单元相邻的存储单元。所述读取非易失性存储装置的存储单元数据的方法包括将第一电压施加到多个存储单元中的读取存储单元的控制栅极；将第三电压施加到与所述读取存储单元相邻的存储单元的控制栅极；将第二电压施加到除了读取存储单元和相邻存储单元之外的存储单元的控制栅极。
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公开(公告)号：CN101545771A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129834.1
申请日：2009-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01C3/08
CPC classification number: G01C3/08 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。
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公开(公告)号：CN114078890A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110787364.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一芯片，所述第一芯片包括像素区和焊盘区；以及第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片的一个表面接触并且包括驱动所述第一芯片的电路。所述第一芯片包括：第一衬底；层间绝缘层，设置在所述第一衬底和所述第二芯片之间；第一互连线，设置在所述层间绝缘层中；导电焊盘，在所述焊盘区中设置在所述第二芯片和所述第一互连线之间；以及凹陷区，形成在所述焊盘区中，所述凹陷区穿透所述第一衬底和所述层间绝缘层并且暴露所述导电焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794625B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010110966.2
申请日：2010-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/56 , G11C29/56012 , G11C2029/5602 , Y10T29/49004
Abstract: 本发明公开了一种存储器系统、存储器测试系统及其测试方法。该存储器测试系统包括：存储器器件；测试器，该测试器产生时钟信号和用于测试存储器器件的测试信号；以及光分路模块。光分路模块包括电-光信号转换单元，该电-光信号转换单元将时钟信号和测试信号中的每个转换成光信号，以将时钟信号和测试信号输出为光时钟信号和光测试信号。光分路单元还包括光信号分路单元和光-电信号转换单元，该光信号分路单元将光时钟信号和光测试信号中的每个分路成n个信号(n为至少2)，该光-电信号转换单元接收分路的光时钟信号和分路的光测试信号，以将分路的光时钟信号和分路的光测试信号转换成存储器器件中使用的电信号。
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公开(公告)号：CN101545771B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910129834.1
申请日：2009-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01C3/08
CPC classification number: G01C3/08 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。
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公开(公告)号：CN102169270A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010530097.9
申请日：2010-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F2/00
CPC classification number: H04B10/801 , H04J14/08
Abstract: 一种光串行化器/解串行化器(SERDES)包括串行电路，其包括多个未调制光信号的源，调制单元，用于使用用于调制多个未调制光信号的多个电信号来产生多个调制光信号；和耦合单元，用于延迟多个调制光信号以产生多个延迟的调制光信号并且组合延迟的调制光信号以产生串行化的调制光信号。SERDES的解串行化电路包括：分光器，用于将串行化调制光信号分解为多个调制分解光信号；解调单元，用于解调该调制分解光信号并且产生相应的多个解调分解光信号；和延迟单元，用于按相应的延迟量来延迟多个调制分解光信号中的每个从而串行化调制光信号转换为相应的多个并行的解调分解光信号。
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公开(公告)号：CN101996676A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010253568.6
申请日：2010-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093 , G11C7/10
CPC classification number: G06F13/4243 , G02B6/43
Abstract: 一种半导体存储器装置、控制器和半导体存储器系统，所述半导体存储器系统包括光互连的控制器和存储器装置。所述控制器包括：控制逻辑，被配置用于产生控制存储器装置的控制信号；发送器，被配置用于将控制信号转换为光信号，并输出光信号。所述存储器装置包括：接收单元，被配置用于将光信号转换为电信号，并基于与光信号或电信号的周期相应的供电电压来对电信号进行过滤。
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公开(公告)号：CN117913111A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311353278.2
申请日：2023-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器及其制造方法。例如，图像传感器可以包括：具有彼此相对的第一表面和第二表面的第一基板；提供在第一基板中并且排列成像素组的多个像素，每个像素组包括排列成两列和两行的四个像素；像素分离结构，在第一基板中并且包括将每个像素组与相邻像素组分离的像素组分离部分和将每个像素组中的像素彼此分离的像素分离部分；以及在第一表面上并分别与多个像素组重叠的多个微透镜。每个微透镜包括具有第一曲率的中心部分和具有第二曲率的边缘部分。第一曲率小于第二曲率。
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