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公开(公告)号:CN103323407B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201310095254.1
申请日:2013-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/17 , B01L3/5027 , B01L9/527 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2300/0636 , B01L2300/0816 , G01N15/1484 , G01N21/7703 , G01N21/7746 , G01N27/44721 , G01N2021/0346 , G01N2021/7793 , G02B2006/12138 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明公开了一种光学生物传感器,包括:生物感测单元,该生物感测单元被配置为接收输入光学信号并产生感测光学信号,该感测光学信号的波长根据检测生物材料的结果而变化;和光谱仪,该光谱仪包括多个环形谐振器,所述多个环形谐振器用于根据波长划分感测光学信号并分别产生多个输出光学信号。
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公开(公告)号:CN103323407A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310095254.1
申请日:2013-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/17 , B01L3/5027 , B01L9/527 , B01L2200/027 , B01L2200/10 , B01L2300/0636 , B01L2300/0816 , G01N15/1484 , G01N21/7703 , G01N21/7746 , G01N27/44721 , G01N2021/0346 , G01N2021/7793 , G02B2006/12138 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明公开了一种光学生物传感器,包括:生物感测单元,该生物感测单元被配置为接收输入光学信号并产生感测光学信号,该感测光学信号的波长根据检测生物材料的结果而变化;和光谱仪,该光谱仪包括多个环形谐振器,所述多个环形谐振器用于根据波长划分感测光学信号并分别产生多个输出光学信号。
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公开(公告)号:CN112420756A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202010799900.2
申请日:2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括基板、第一绝缘结构和第二绝缘结构、第一布线结构、贯通通路以及第一连接图案和第二连接图案。基板包括传感器阵列区域和焊盘区域并包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一绝缘结构设置在基板的第二表面上并包括面对第二表面的第三表面和与第三表面相反的第四表面。第一布线结构形成在第一绝缘结构中并包括第一导电层和第一通路。贯通通路贯穿焊盘区域中的基板并连接到第一布线结构。第一连接图案连接到第一布线结构。第二绝缘结构设置在第一绝缘结构的第四表面上。第二连接图案连接到第一连接图案。第一导电层包括第一布线和相比于第一布线与基板相隔更远的第二布线。贯通通路接触第二布线。
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公开(公告)号:CN101034553A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200610163630.6
申请日:2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3123 , G11B5/1278 , G11B5/17 , G11B5/3116 , G11B5/3163
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头包括主极、返回轭、以及产生磁场使得该主极能在记录介质上记录信息的线圈。该线圈具有以螺线管形状围绕该主极的结构。
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公开(公告)号:CN114078890A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202110787364.9
申请日:2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括:第一芯片,所述第一芯片包括像素区和焊盘区;以及第二芯片,所述第二芯片与所述第一芯片的一个表面接触并且包括驱动所述第一芯片的电路。所述第一芯片包括:第一衬底;层间绝缘层,设置在所述第一衬底和所述第二芯片之间;第一互连线,设置在所述层间绝缘层中;导电焊盘,在所述焊盘区中设置在所述第二芯片和所述第一互连线之间;以及凹陷区,形成在所述焊盘区中,所述凹陷区穿透所述第一衬底和所述层间绝缘层并且暴露所述导电焊盘。
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公开(公告)号:CN102141650B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201010578730.1
申请日:2010-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/124 , G02B6/122 , G02B6/30 , G02B6/34 , G02B6/4214 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中,芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中,所以根据硅光电子技术,光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地,例如,光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。
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公开(公告)号:CN102169270A
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN201010530097.9
申请日:2010-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F2/00
CPC classification number: H04B10/801 , H04J14/08
Abstract: 一种光串行化器/解串行化器(SERDES)包括串行电路,其包括多个未调制光信号的源,调制单元,用于使用用于调制多个未调制光信号的多个电信号来产生多个调制光信号;和耦合单元,用于延迟多个调制光信号以产生多个延迟的调制光信号并且组合延迟的调制光信号以产生串行化的调制光信号。SERDES的解串行化电路包括:分光器,用于将串行化调制光信号分解为多个调制分解光信号;解调单元,用于解调该调制分解光信号并且产生相应的多个解调分解光信号;和延迟单元,用于按相应的延迟量来延迟多个调制分解光信号中的每个从而串行化调制光信号转换为相应的多个并行的解调分解光信号。
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公开(公告)号:CN1445556A
公开(公告)日:2003-10-01
申请号:CN02146891.5
申请日:2002-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R33/00
CPC classification number: G01R33/05 , G01R15/185 , G01R33/04
Abstract: 一种磁通闸门敏感元件被集成在半导体衬底上。该元件有两个棒形软磁芯或者一个矩形环软磁芯,从而在半导体衬底上形成闭合磁路。它带有由金属层形成的励磁线圈,呈组合结构,按照数字“8”的形状缠绕在两个棒形磁芯组合外面或者矩形环磁芯两个长边组合外面;或者呈分离结构,按照数字“8”的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。另外,还有一个耦合线圈,也形成在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上,呈组合结构,按照螺线管的形状缠绕在两个棒形磁芯组合整体的外面或者矩形环磁芯两个长边组合的外面;或者呈分离结构,按照螺线管的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。
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