图像传感器
    3.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN112420756A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202010799900.2

    申请日:2020-08-11

    Abstract: 一种图像传感器包括基板、第一绝缘结构和第二绝缘结构、第一布线结构、贯通通路以及第一连接图案和第二连接图案。基板包括传感器阵列区域和焊盘区域并包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一绝缘结构设置在基板的第二表面上并包括面对第二表面的第三表面和与第三表面相反的第四表面。第一布线结构形成在第一绝缘结构中并包括第一导电层和第一通路。贯通通路贯穿焊盘区域中的基板并连接到第一布线结构。第一连接图案连接到第一布线结构。第二绝缘结构设置在第一绝缘结构的第四表面上。第二连接图案连接到第一连接图案。第一导电层包括第一布线和相比于第一布线与基板相隔更远的第二布线。贯通通路接触第二布线。

    图像传感器
    6.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114078890A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110787364.9

    申请日:2021-07-12

    Abstract: 一种图像传感器包括:第一芯片,所述第一芯片包括像素区和焊盘区;以及第二芯片,所述第二芯片与所述第一芯片的一个表面接触并且包括驱动所述第一芯片的电路。所述第一芯片包括:第一衬底;层间绝缘层,设置在所述第一衬底和所述第二芯片之间;第一互连线,设置在所述层间绝缘层中;导电焊盘,在所述焊盘区中设置在所述第二芯片和所述第一互连线之间;以及凹陷区,形成在所述焊盘区中,所述凹陷区穿透所述第一衬底和所述层间绝缘层并且暴露所述导电焊盘。

    光串行化/解串行化装置和方法及其制造方法

    公开(公告)号:CN102169270A

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN201010530097.9

    申请日:2010-10-29

    CPC classification number: H04B10/801 H04J14/08

    Abstract: 一种光串行化器/解串行化器(SERDES)包括串行电路,其包括多个未调制光信号的源,调制单元,用于使用用于调制多个未调制光信号的多个电信号来产生多个调制光信号;和耦合单元,用于延迟多个调制光信号以产生多个延迟的调制光信号并且组合延迟的调制光信号以产生串行化的调制光信号。SERDES的解串行化电路包括:分光器,用于将串行化调制光信号分解为多个调制分解光信号;解调单元,用于解调该调制分解光信号并且产生相应的多个解调分解光信号;和延迟单元,用于按相应的延迟量来延迟多个调制分解光信号中的每个从而串行化调制光信号转换为相应的多个并行的解调分解光信号。

    集成到半导体衬底中的磁通闸门敏感元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1445556A

    公开(公告)日:2003-10-01

    申请号:CN02146891.5

    申请日:2002-10-18

    CPC classification number: G01R33/05 G01R15/185 G01R33/04

    Abstract: 一种磁通闸门敏感元件被集成在半导体衬底上。该元件有两个棒形软磁芯或者一个矩形环软磁芯,从而在半导体衬底上形成闭合磁路。它带有由金属层形成的励磁线圈,呈组合结构,按照数字“8”的形状缠绕在两个棒形磁芯组合外面或者矩形环磁芯两个长边组合外面;或者呈分离结构,按照数字“8”的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。另外,还有一个耦合线圈,也形成在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上,呈组合结构,按照螺线管的形状缠绕在两个棒形磁芯组合整体的外面或者矩形环磁芯两个长边组合的外面;或者呈分离结构,按照螺线管的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。

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