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公开(公告)号：CN110061418B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201811563837.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体激光器件包括：在基底上的第一包覆层，包括氮化镓(GaN)；在第一包覆层上的光波导；顺序地堆叠在光波导上第一接触图案、第一SCH图案、第一有源图案、第二SCH图案、第二包覆层和第二接触图案；以及分别在第一接触图案和第二接触图案上的第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN107229097B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710351651.9
申请日：2011-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有减小尺寸的光学调制器。该光学调制器，包括光输入/输出单元，其接收没有被调制的入射光学信号，将入射光学信号分束为第一光学信号和第二光学信号，将第一和第二光学信号分别发送到光学波导的第一路径和第二路径。移相器位于第一和第二路径中的至少一个中，并且响应于电信号来调制分别通过第一和第二路径接收的第一和第二光学信号中的至少一个的相位。输出相位调制信号。反射光栅耦合器将分别通过第一和第二路径接收的信号分别沿着第一和第二路径反射回来。
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公开(公告)号：CN102141650A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010578730.1
申请日：2010-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/124 , G02B6/122 , G02B6/30 , G02B6/34 , G02B6/4214 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。
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公开(公告)号：CN110071422B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910046740.1
申请日：2019-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 光束转向装置可以包括配置为发射激光束的可调谐激光二极管以及天线，天线包括光栅结构并且配置为基于光栅结构将激光束转换为线性光源。可调谐激光二极管可以发射具有第一波长的第一激光束，并且发射具有第二波长的第二激光束，第二波长不同于第一波长。天线可以接收第一激光束，并且作为响应，输出相对于天线的表面具有第一发射角的第一线性光源。天线还可以接收第二激光束，并且作为响应，输出相对于天线的表面具有第二发射角的第二线性光源，第二发射角不同于第一发射角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107229097A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710351651.9
申请日：2011-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有减小尺寸的光学调制器。该光学调制器，包括光输入/输出单元，其接收没有被调制的入射光学信号，将入射光学信号分束为第一光学信号和第二光学信号，将第一和第二光学信号分别发送到光学波导的第一路径和第二路径。移相器位于第一和第二路径中的至少一个中，并且响应于电信号来调制分别通过第一和第二路径接收的第一和第二光学信号中的至少一个的相位。输出相位调制信号。反射光栅耦合器将分别通过第一和第二路径接收的信号分别沿着第一和第二路径反射回来。
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公开(公告)号：CN102546027A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110427133.3
申请日：2011-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B10/155
CPC classification number: G02B6/305 , G02B6/30 , G02F1/225 , G02F2201/307
Abstract: 一种具有减小尺寸的光学调制器和包括其的光学发射器。该光学调制器，包括光输入/输出单元，其接收没有被调制的入射光学信号，将入射光学信号分束为第一光学信号和第二光学信号，将第一和第二光学信号分别发送到光学波导的第一路径和第二路径。移相器位于第一和第二路径中的至少一个中，并且响应于电信号来调制分别通过第一和第二路径接收的第一和第二光学信号中的至少一个的相位。输出相位调制信号。反射光栅耦合器将分别通过第一和第二路径接收的信号分别沿着第一和第二路径反射回来。
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公开(公告)号：CN101819810A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010113387.3
申请日：2010-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/18 , G11C29/023
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器器件和系统。该半导体存储器系统包括：存储器控制器和存储器。存储器控制器包括：控制信号转换单元，所述控制信号转换单元将控制信号转换成包括n个顺次时钟脉冲的转换控制信号和目标时钟脉冲，并且输出转换控制信号，所述目标时钟脉冲在从n个顺次时钟脉冲的起始点经过一时间段之后被激活；以及控制器发射单元，所述控制器发射单元将转换控制信号转换成光信号，并且将光信号发射到存储器。存储器包括：存储器接收单元，所述存储器接收单元将光信号转换成电信号；以及控制信号重新转换单元，所述控制信号重新转换单元从所述电信号检测时间段，并且将控制信号转换成与时间段相对应的控制信号。
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公开(公告)号：CN103513331A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310258082.5
申请日：2013-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/066 , G02F2202/105
Abstract: 本发明提供一种光学集成电路，该光学集成电路可包括包含单晶半导体材料的基板、在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的无源元件、以及在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的有源元件。
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公开(公告)号：CN101794625A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010110966.2
申请日：2010-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/56 , G11C29/56012 , G11C2029/5602 , Y10T29/49004
Abstract: 本发明公开了一种存储器系统、存储器测试系统及其测试方法。该存储器测试系统包括：存储器器件；测试器，该测试器产生时钟信号和用于测试存储器器件的测试信号；以及光分路模块。光分路模块包括电-光信号转换单元，该电-光信号转换单元将时钟信号和测试信号中的每个转换成光信号，以将时钟信号和测试信号输出为光时钟信号和光测试信号。光分路单元还包括光信号分路单元和光-电信号转换单元，该光信号分路单元将光时钟信号和光测试信号中的每个分路成n个信号(n为至少2)，该光-电信号转换单元接收分路的光时钟信号和分路的光测试信号，以将分路的光时钟信号和分路的光测试信号转换成存储器器件中使用的电信号。
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