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公开(公告)号：CN109212663B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810735108.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 光子集成电路包括主光源、冗余光源、控制器、光学开关和调制器。主光源通过主光输入波导输出主光。冗余光源通过冗余光传输波导输出冗余光。控制器基于主光源的故障状态生成第一开关信号。光学开关基于第一开关信号将来自冗余光传输波导的冗余光选择性地提供给冗余光输入波导。调制器调制来自主光输入波导的主光或来自冗余光输入波导的冗余光并输出第一光学信号。
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公开(公告)号：CN103489834B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201310225225.2
申请日：2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/4207 , G02B6/4214 , G02B6/428 , G02B6/43 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件及包括该半导体封装件的半导体装置。半导体封装件包括：封装基底；多个连接元件，设置在封装基底上；以及半导体芯片，半导体芯片包括至少一个光学输入/输出元件，所述至少一个光学输入/输出元件相对于与封装基底的底表面垂直的方向以光学输入/输出角度将光信号传输至外部/从外部接收光信号，半导体芯片通过所述多个连接元件电连接到封装基底。
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公开(公告)号：CN107229097B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710351651.9
申请日：2011-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有减小尺寸的光学调制器。该光学调制器，包括光输入/输出单元，其接收没有被调制的入射光学信号，将入射光学信号分束为第一光学信号和第二光学信号，将第一和第二光学信号分别发送到光学波导的第一路径和第二路径。移相器位于第一和第二路径中的至少一个中，并且响应于电信号来调制分别通过第一和第二路径接收的第一和第二光学信号中的至少一个的相位。输出相位调制信号。反射光栅耦合器将分别通过第一和第二路径接收的信号分别沿着第一和第二路径反射回来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110391303A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910061254.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/105
Abstract: 提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，包括半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；第一涂层，位于基底上，所述第一涂层包围光吸收层的侧表面的至少一部分；以及光波导，位于第一涂层上，所述光波导与光吸收层接触并且包括氮化硅(SiN)，其中，光波导的下表面比光吸收层的下表面高。
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公开(公告)号：CN102141650A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010578730.1
申请日：2010-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/124 , G02B6/122 , G02B6/30 , G02B6/34 , G02B6/4214 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。
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公开(公告)号：CN111415952A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911375158.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面，该半导体基板包括具有光电转换区的像素区；第一导电图案，在第一沟槽中，该第一沟槽限定像素区并从第一表面朝向第二表面延伸；第二导电图案，在第二沟槽中，该第二沟槽比第一沟槽浅并被限定在像素区的第一表面上的多个有源图案之间；在所述多个有源图案上的传输晶体管和多个逻辑晶体管；以及导电线，在第二表面上并电连接到第一导电图案。
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公开(公告)号：CN111048533A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910633453.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L31/0232 , G02B6/42
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。
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