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公开(公告)号：CN118039657A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311009013.0
申请日：2023-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和包括该图像传感器的电子系统。图像传感器包括：基底，具有像素区域，有源区域被限定在像素区域中；以及栅电极，位于有源区域上，其中，有源区域包括沿着其顶表面的轮廓延伸的边缘部分，边缘部分包括具有第一曲率半径的局部圆形边缘部分，第一曲率半径比边缘部分的其他部分的第二曲率半径大，其中，栅电极包括横向栅极部、竖直栅极部和圆形内拐角部，横向栅极部位于有源区域的顶表面的一部分上，竖直栅极部位于有源区域的侧壁上，圆形内拐角部一体地连接到横向栅极部和竖直栅极部，圆形内拐角部面对局部圆形边缘部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111415952A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911375158.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面，该半导体基板包括具有光电转换区的像素区；第一导电图案，在第一沟槽中，该第一沟槽限定像素区并从第一表面朝向第二表面延伸；第二导电图案，在第二沟槽中，该第二沟槽比第一沟槽浅并被限定在像素区的第一表面上的多个有源图案之间；在所述多个有源图案上的传输晶体管和多个逻辑晶体管；以及导电线，在第二表面上并电连接到第一导电图案。
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公开(公告)号：CN117457691A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310910874.X
申请日：2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；有源区域，其设置在衬底中和光电转换区域上；元件隔离图案，其从衬底的第一表面延伸到衬底中并且限定有源区域；以及传输栅电极，其包括：第一部分，其从衬底的第一表面延伸并且延伸穿过元件隔离图案；以及第二部分，其设置在有源区域上，其中，第一部分延伸穿过元件隔离图案的底表面，其中，第一部分的底表面的竖直水平低于元件隔离图案的底表面的竖直水平。
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公开(公告)号：CN114551485A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111305868.9
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。
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公开(公告)号：CN114335037A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111048456.1
申请日：2021-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括基板和设置在基板中并插置在多个单位像素之间的像素分离图案。所述多个单位像素包括第一单位像素区和在第一方向上邻近第一单位像素区的第二单位像素区。第一单位像素区和第二单位像素区分别包括第一传输栅极和第二传输栅极。像素分离图案包括插置在第一单位像素区和第二单位像素区之间的第一像素分离部以及在第一方向上与第一像素分离部间隔开的第二像素分离部。第一像素分离部的顶表面低于第二像素分离部的顶表面。
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