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公开(公告)号：CN114335037A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111048456.1
申请日：2021-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括基板和设置在基板中并插置在多个单位像素之间的像素分离图案。所述多个单位像素包括第一单位像素区和在第一方向上邻近第一单位像素区的第二单位像素区。第一单位像素区和第二单位像素区分别包括第一传输栅极和第二传输栅极。像素分离图案包括插置在第一单位像素区和第二单位像素区之间的第一像素分离部以及在第一方向上与第一像素分离部间隔开的第二像素分离部。第一像素分离部的顶表面低于第二像素分离部的顶表面。
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公开(公告)号：CN112866598A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011189259.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器的操作方法，包括：在至少一个像素中执行对应于第一照度的第一采样操作；在所述至少一个像素中执行对应于第二照度的第二采样操作；以及在所述至少一个像素中，输出对应于所述第一采样操作的第一像素电压，或者输出对应于所述第二采样操作的第二像素电压。
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公开(公告)号：CN114335036A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110798120.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。
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公开(公告)号：CN111129072A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911312886.2
申请日：2018-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560105A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810661733.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
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公开(公告)号：CN110191294B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811502055.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
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公开(公告)号：CN112019041A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010436533.X
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种电荷泵装置和包括该电荷泵装置的图像传感器。所述电荷泵装置被配置为从方波产生输出电压，其中，所述电荷泵装置包括：半导体层；第一外部阱和第二外部阱；形成在所述第一外部阱中的第一内部阱；形成在所述第二外部阱中的第二内部阱；被施加所述输入信号并且连接到所述第一外部阱的第一电容器；以及连接到所述第一电容器和所述第二外部阱的第二电容器，其中，所述第一电压被施加到所述第一外部阱，并且低于所述第一电压的电压被施加到所述第二外部阱。
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公开(公告)号：CN110191294A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201811502055.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
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公开(公告)号：CN108281434A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810010650.2
申请日：2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H01L27/14601 , H01L21/77 , H01L27/14603 , H01L27/14625
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
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