公开(公告)号：CN119230609A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410836493.6

申请日：2024-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林智焄 ,  金振泳 ,  徐明海 ,  闵诚基 ,  李昌圭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/146 ,  H04N25/62

Abstract: 提供了一种晶体管和一种图像感测装置。所述晶体管可以是双垂直传输晶体管。在一些实施例中，双垂直传输晶体管的栅极可以包括延伸到光电二极管的n型区域的一对极以及将所述成对的极彼此连接的连接部。第一绝缘图案可以设置在极之间和基底上。

公开(公告)号：CN111415952B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201911375158.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢仁镐 ,  权杜原 ,  权锡镇 ,  金慈明 ,  金振泳 ,  闵诚基 ,  曹官植 ,  赵万根 ,  池晧哲

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：CN114792699A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210079601.0

申请日：2022-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张钟光 ,  姜栋薰 ,  金振泳 ,  吴光永 ,  李泰宪

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括具有第一表面和第二表面的衬底。分离结构穿透衬底。光电转换器件区域在衬底中彼此间隔开。滤色器设置在衬底的第二表面上。微透镜设置在滤色器上。分离结构包括下分离图案和上分离图案、彼此平行延伸的第一线部分以及与第一线部分垂直交叉的第二线部分。下分离图案的上表面或上分离图案的下表面具有波浪形状或锯齿形状。在其中第一线部分和第二线部分交叉的交叉区域中，下分离图案和上分离图案中的一个的垂直长度是另一个的垂直长度的约2至10倍。

公开(公告)号：CN115312552A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210369203.2

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金振泳 ,  李泰宪 ,  梁至希

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，并且半导体衬底中具有第一导电类型的光电转换区，光电转换区在第一表面与第二表面之间延伸。第二导电类型的半导体光电转换器件的二维阵列设置在光电转换区内。设置第一网格状隔离区，第一网格状隔离区从第一表面延伸到光电转换区，并且第一网格状隔离区中具有第一导电材料。设置第二网格状隔离区，第二网格状隔离区从第二表面延伸到光电转换区。设置导电接触区，所述导电接触区(i)从第二表面延伸到所述光电转换区的位于所述半导体光电转换器件的二维阵列之外的部分，并且(ii)电接触所述第一网格状隔离区内的所述第一导电材料的一部分。

公开(公告)号：CN114464636A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111303999.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜栋薰 ,  吴光永 ,  张锺光 ,  金振泳 ,  李泰宪

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有彼此背对的第一侧和第二侧；多个光电区域，在半导体基底的第一区域中沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在半导体基底中；以及第一分隔结构，在半导体基底的第一区域中设置在所述多个光电区域之间。第一分隔结构包括下分隔结构和设置在下分隔结构上方的上分隔结构，第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在第一方向上延伸的线性部分，其中，在第一分隔结构的线性部分的在第一方向上的剖面结构中，下分隔结构的上表面和上分隔结构的下表面中的至少一个具有波状形状。

公开(公告)号：CN114122033A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110988699.7

申请日：2021-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁海成 ,  李泰宪 ,  金振泳

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，包括光入射在其上的第一侧和与第一侧相对的第二侧，所述基板包括光接收区域和位于所述光接收区域周围的遮光区域；第一隔离图案，从第二侧延伸，第一隔离图案在光接收区域和遮光区域中介于基板中的多个单位像素之间；第二隔离图案，从第一侧延伸并与第一隔离图案交叠，第二隔离图案在光接收区域中设置在基板中；以及接触膜，电连接到第一隔离图案，接触摸在遮光区域中设置在基板中。从第一侧延伸的接触沟槽在遮光区域中形成在基板中，并暴露第一隔离图案，并且接触膜填充接触沟槽的至少一部分。

公开(公告)号：CN111415952A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201911375158.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢仁镐 ,  权杜原 ,  权锡镇 ,  金慈明 ,  金振泳 ,  闵诚基 ,  曹官植 ,  赵万根 ,  池晧哲

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面，该半导体基板包括具有光电转换区的像素区；第一导电图案，在第一沟槽中，该第一沟槽限定像素区并从第一表面朝向第二表面延伸；第二导电图案，在第二沟槽中，该第二沟槽比第一沟槽浅并被限定在像素区的第一表面上的多个有源图案之间；在所述多个有源图案上的传输晶体管和多个逻辑晶体管；以及导电线，在第二表面上并电连接到第一导电图案。