公开(公告)号：CN119230609A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410836493.6

申请日：2024-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林智焄 ,  金振泳 ,  徐明海 ,  闵诚基 ,  李昌圭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/146 ,  H04N25/62

Abstract: 提供了一种晶体管和一种图像感测装置。所述晶体管可以是双垂直传输晶体管。在一些实施例中，双垂直传输晶体管的栅极可以包括延伸到光电二极管的n型区域的一对极以及将所述成对的极彼此连接的连接部。第一绝缘图案可以设置在极之间和基底上。

公开(公告)号：CN115995475A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211272059.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉宽 ,  李昌圭 ,  赵寅成 ,  金埈弘 ,  表真善

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基板；像素隔离图案，在基板中并在基板中限定多个单位像素区；多个滤色器，在基板上并分别对应于所述多个单位像素区；低折射率图案，在所述多个滤色器中的相邻的滤色器之间以使所述相邻的滤色器至少部分地隔开而不彼此直接接触；在基板和所述多个滤色器之间的绝缘结构；以及与像素隔离图案垂直地重叠的光阻挡图案。光阻挡图案在绝缘结构内并与低折射率图案隔开而不直接接触。

公开(公告)号：CN114335036A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110798120.0

申请日：2021-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金局泰 ,  李昌圭 ,  任东模 ,  金周誾 ,  朴美善 ,  崔廷任 ,  洪守珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。

公开(公告)号：CN107924314A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680044987.4

申请日：2016-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑寅亨 ,  李昌圭 ,  玄台真 ,  金铉洙 ,  金旼镐 ,  白种佑

IPC: G06F9/4401

CPC classification number: G06F9/4403 ,  G06F9/4405

Abstract: 提供了一种电子设备，以使用户能够体验电子设备中的应用的快速启动。所述电子设备包括壳体、显示器、输入单元、处理器、存储应用程序的非易失性存储器和存储以下指令的易失性存储器：所述指令允许所述处理器基于所述电子设备的第一状态变化将所述应用程序的第一部分加载到所述易失性存储器中、基于所述电子设备的第二状态变化将所述应用程序的第二部分加载到所述易失性存储器中并且显示由已加载的第一部分和第二部分产生的图像或文本。由于所述应用的至少一部分是在产生所述第二输入之前被预加载的，为了在产生所述第二输入之后执行所述应用，只有所述应用的其余部分必须被加载。

公开(公告)号：CN107924314B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201680044987.4

申请日：2016-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑寅亨 ,  李昌圭 ,  玄台真 ,  金铉洙 ,  金旼镐 ,  白种佑

IPC: G06F9/4401

Abstract: 提供了一种电子设备，以使用户能够体验电子设备中的应用的快速启动。所述电子设备包括壳体、显示器、输入单元、处理器、存储应用程序的非易失性存储器和存储以下指令的易失性存储器：所述指令允许所述处理器基于所述电子设备的第一状态变化将所述应用程序的第一部分加载到所述易失性存储器中、基于所述电子设备的第二状态变化将所述应用程序的第二部分加载到所述易失性存储器中并且显示由已加载的第一部分和第二部分产生的图像或文本。由于所述应用的至少一部分是在产生所述第二输入之前被预加载的，为了在产生所述第二输入之后执行所述应用，只有所述应用的其余部分必须被加载。

公开(公告)号：CN115763503A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211067322.9

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田慜焕 ,  朴灿镐 ,  边炅来 ,  李昌圭 ,  张钟光

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：包括多个像素区的半导体基板；在半导体基板上的抗反射层；提供在抗反射层上和像素区中的滤色器；以及设置在滤色器中的相邻滤色器之间的栅栏结构，其中栅栏结构包括：穿透抗反射层的下部；在抗反射层上的上部；以及在下部与上部之间的中间部，其中栅栏结构具有底切区，该底切区提供在中间部的两侧并且在栅栏结构的上部与抗反射层的顶表面之间。