公开(公告)号：CN102163548A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110045061.6

申请日：2011-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金重浩 ,  黄棋铉 ,  杨尚烈 ,  孙龙勋 ,  金周誾

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 一种制作半导体器件的方法，包括：在衬底上交替且重复地堆叠牺牲层和第一绝缘层；形成穿通所述牺牲层和所述第一绝缘层的开口；以及在所述开口的侧壁上形成隔离物，其中，所述开口的底部表面没有所述隔离物。在所述开口中形成半导体层。还披露了相关的器件。

公开(公告)号：CN114335036A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110798120.0

申请日：2021-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金局泰 ,  李昌圭 ,  任东模 ,  金周誾 ,  朴美善 ,  崔廷任 ,  洪守珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。