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公开(公告)号：CN111146218A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911068784.0
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；以及像素隔离膜，从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中并在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括掩埋导电层和绝缘衬垫，掩埋导电层包括以第一浓度含有微细化元素的多晶硅，绝缘衬垫在掩埋导电层和半导体基板之间，以及其中微细化元素包括氧、碳或氟。
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公开(公告)号：CN108133935A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201710805628.2
申请日：2017-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/11
CPC classification number: H01L27/10823 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/28123 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/76804 , H01L21/76877 , H01L27/10814 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/10897 , H01L28/90 , H01L29/0649 , H01L29/0684 , H01L29/4236 , H01L27/10829 , H01L27/1104
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：半导体基底；沟槽隔离层，位于半导体基底上，并且被构造为限定有源区；多衬垫层，位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上。多衬垫层可以包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。
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公开(公告)号：CN111430389B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111430389A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
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公开(公告)号：CN118315401A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410304518.8
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离膜，在像素沟槽中，从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中，像素隔离膜在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括：绝缘衬垫，在像素沟槽的内壁上；界面层，在像素沟槽中的绝缘衬垫上，界面层具有第一端和第二端，界面层的第一端比界面层的第二端更靠近第一表面；以及掩埋层，在界面层上并填充像素沟槽的内部，和其中界面层的第一端具有第一宽度，界面层的第二端具有第二宽度，第二宽度比第一宽度大，界面层设置在绝缘层和掩埋层之间。
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公开(公告)号：CN114335036A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110798120.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。
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公开(公告)号：CN111009535A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910891841.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括含有多个像素区域的衬底。所述衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器包括从衬底的第二表面向衬底的第一表面延伸并将所述多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述图像传感器包括邻近所述深像素隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器包括在所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间的电子抑制区。
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公开(公告)号：CN109411388A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810903569.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/67 , H01L21/67017 , H01L21/683
Abstract: 公开了一种衬底处理设备和清洁该设备的方法。该设备包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于处理室中。气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面向第一注入部并构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。
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