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公开(公告)号：CN111477643B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010000398.4
申请日：2020-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/75 , H10K39/32
Abstract: 提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。
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公开(公告)号：CN106611783A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610880643.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/49
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/66545 , H01L29/49
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽；衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及第一填充金属，在第一阻挡金属上。
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公开(公告)号：CN117673103A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311094320.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：半导体基板，包括第一像素和与第一像素相邻的第二像素；像素隔离结构，在第一像素和第二像素之间；抗反射层，在第一像素、第二像素和像素隔离结构上；以及贯穿通路结构，在抗反射层和半导体基板中的贯穿通路孔中。贯穿通路结构可以包括在贯穿通路孔的内壁上的第一导电层和在贯穿通路孔的内壁上的第一导电层上的第二导电层，抗反射层可以包括TiO2，第一导电层可以包括具有比Ti高的功函数的材料。
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公开(公告)号：CN106611783B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610880643.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/49
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽；衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及第一填充金属，在第一阻挡金属上。
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公开(公告)号：CN119230570A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410816379.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，包括第一表面和与第一表面背对的第二表面，半导体基底还包括光电转换区域；传输栅极，设置在半导体基底的第一表面上；掩埋绝缘层，设置在半导体基底的第一表面上以覆盖传输栅极；以及像素隔离结构，设置在像素隔离沟槽中，像素隔离沟槽从半导体基底的第一表面朝向半导体基底的第二表面延伸，像素隔离沟槽穿过掩埋绝缘层，像素隔离结构限定半导体基底中的多个像素，像素隔离结构的一部分被掩埋绝缘层覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118412359A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410023653.5
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L25/16
Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：第一基底，包括像素区域和与像素区域相邻的外围区域，像素区域包括呈二维阵列的多个像素；第一布线层，在第一基底的下表面上；抗反射层，具有第一折射率，抗反射层在第一基底的上表面上；以及滤色器，在抗反射层上与像素区域对应并且通过无金属栅格图案彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN111029364B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910535319.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体图像传感器包括基板和在基板上具有沟槽的隔离绝缘图案。下透明电极提供在沟槽内。该下透明电极包括第一层和在第一层上的不同的第二层。有机光电层提供在下透明电极上，上透明电极提供在有机光电层上。第一层可以接触沟槽的底部和侧表面，并且可以在其中具有接缝，该接缝由第二层的一部分至少部分地填充。第一层可以相对于第二层具有更高的透光效率，并且相对于第二层具有更低的电阻。
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公开(公告)号：CN111477643A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010000398.4
申请日：2020-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。
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公开(公告)号：CN118299387A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311207382.0
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种图像传感器。该半导体装置包括：栅极图案，其设置在衬底上；第一层间绝缘层，其在栅极图案的侧壁上；第二层间绝缘层，其在栅极图案和第一层间绝缘层上；以及第一接触插塞，其穿过第二层间绝缘层和第一层间绝缘层并且与衬底接触，其中，第一接触插塞包括第一层间绝缘层中的第一接触部分和第二层间绝缘层中的第二接触部分，第一层间绝缘层的密度小于第二层间绝缘层的密度，第一接触插塞的第一接触部分具有第一宽度，并且第一接触插塞的第二接触部分具有小于第一宽度的第二宽度。
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