图像传感器
    1.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115602693A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202210800704.1

    申请日:2022-07-08

    Abstract: 提供了一种图像传感器,包括:感光元件;设置在感光元件上的平面化层;设置在平面化层上的滤色器阵列层,滤色器阵列层包括滤色器;以及设置在滤色器阵列层上的微透镜,其中,滤色器包括绿色滤波器、蓝色滤波器和红色滤波器,其中,对于500nm至570nm的绿光波长范围,绿色滤波器的折射率大于1.7。

    图像传感器
    2.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115566033A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210750098.7

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 一种图像传感器包括:基板,所述基板具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面,所述基板上布置有多个单位像素,所述多个单位像素形成在平行于所述第一表面的方向上的正常像素、自动对焦像素和补偿像素;光电二极管,所述光电二极管在所述多个单位像素中的每一者中设置在所述基板中;以及器件隔离层,所述器件隔离层设置在所述多个单位像素之间。所述单位像素包括通过网格彼此隔开的滤色器和设置在所述滤色器上的微透镜。所述补偿像素设置在所述自动对焦像素的一侧,并且包括补偿微透镜和透明滤色器,所述补偿微透镜小于所述正常像素中包括的正常微透镜,所述透明滤色器通过小于所述正常像素中包括的正常网格的补偿网格与相邻的滤色器隔开。

    图像传感器
    4.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN118173564A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202311375656.7

    申请日:2023-10-23

    Abstract: 公开了一种图像传感器,包括:第一衬底,其包括像素部分,每个像素部分包括光电转换区;多个滤色器,其位于像素部分上和第一衬底的第一表面上;以及多个微透镜,其位于滤色器上。微透镜的阵列包括重复周期性结构。周期性结构包括沿第一方向彼此相邻地顺序排列的第一微透镜、第二微透镜和第三微透镜。第一微透镜和第二微透镜之间在第一方向上的第一间隔与第二微透镜和第三微透镜之间在第一方向上的第二间隔基本上相同。第一微透镜和第二微透镜之间在第一方向上的第一间距不同于第二微透镜和第三微透镜之间在第一方向上的第二间距。

    图像传感器
    5.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN118676160A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410277426.5

    申请日:2024-03-12

    Inventor: 朴惠涓 李允基

    Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括:第一导电类型的半导体基底,所述半导体基底包括:第一表面、与第一表面背对的第二表面、像素区域、以及像素隔离结构;以及光电转换区域,在像素区域中,光电转换区域具有第二导电类型的杂质,其中,像素隔离结构被配置为包围光电转换区域,并且其中,像素隔离结构包括:气隙,衬垫绝缘图案,在气隙与所述半导体基底之间,以及覆盖图案,与所述半导体基底的第二表面邻近。

    图像传感器
    6.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117012792A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310456735.4

    申请日:2023-04-25

    Abstract: 公开了一种图像传感器,包括:第一衬底,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且包括像素阵列区域和边缘区域;在第二表面上的抗反射结构;像素分离部分,在第一衬底中并将像素彼此分离;以及在抗反射结构上的微透镜阵列。该抗反射结构包括顺序堆叠的第一电介质层、钛氧化物层、第二电介质层和第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括彼此不同的材料。在边缘区域上,第三电介质层穿透第二电介质层和钛氧化物层以与第一电介质层接触。

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