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公开(公告)号：CN117438439A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310428047.7
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的衬底、与所述第二表面接触的固定电荷层、覆盖所述第一表面的层间电介质层、在所述衬底中与所述第一表面相邻的器件隔离部以及位于所述衬底中的像素隔离部。所述像素隔离部包括导电图案、掩埋电介质图案以及同时与所述固定电荷层和所述层间电介质层接触的隔离电介质图案。所述隔离电介质层在所述掩埋电介质图案和所述导电图案之间的界面的水平高度处具有第一厚度。所述隔离电介质层在所述固定电荷层的底表面的水平高度处具有第二厚度。所述第二厚度不同于所述第一厚度。
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公开(公告)号：CN111081725A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910938386.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。
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公开(公告)号：CN107068565A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610879028.6
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/26586 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/167 , H01L29/7851 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。可在衬底上形成伪栅电极层和伪栅极掩模层。可将伪栅极掩模层图案化以形成伪栅极掩模，从而暴露出伪栅电极层的一部分。可通过倾斜离子注入将离子注入伪栅电极层的暴露部分中以及伪栅电极层的与伪栅电极层的暴露部分邻近的一部分中，以在伪栅电极层中形成生长阻挡层。可利用伪栅极掩模作为蚀刻掩模对伪栅电极层进行蚀刻，以形成伪栅电极。可在包括伪栅电极和伪栅极掩模的伪栅极结构的侧表面上形成间隔件。可执行选择性外延生长工艺，以形成外延层。
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公开(公告)号：CN111146218A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911068784.0
申请日：2019-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；以及像素隔离膜，从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中并在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括掩埋导电层和绝缘衬垫，掩埋导电层包括以第一浓度含有微细化元素的多晶硅，绝缘衬垫在掩埋导电层和半导体基板之间，以及其中微细化元素包括氧、碳或氟。
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公开(公告)号：CN118866919A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311740649.2
申请日：2023-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金局泰
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面；抗反射层，位于所述衬底的所述第二表面上；以及像素隔离部分，位于所述衬底中并且使多个像素彼此分隔开。所述多个像素包括第一像素至第四像素。所述像素隔离部分包括：第一部分，位于所述第一像素与所述第三像素之间；以及第二部分，位于所述第一像素与所述第二像素之间。所述第一部分和所述第二部分均包括：半导体图案，沿着与所述第一表面垂直的方向穿透所述衬底；第一隔离电介质图案，位于所述衬底与所述半导体图案之间；以及覆盖图案，位于所述半导体图案中。所述覆盖图案与所述抗反射层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116404016A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310007855.6
申请日：2023-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括像素划分结构、感光元件、滤色器阵列层和微透镜。像素划分结构在垂直方向上延伸穿过基板，并限定单位像素区。感光元件在每个单位像素区中。包括滤色器的滤色器阵列层在基板上。微透镜在滤色器阵列层上。像素划分结构包括芯和在芯的侧壁上的侧面图案结构。芯包括第一填充图案和在由第一填充图案形成的空间中的第二填充图案，第一填充图案包括以第一浓度掺有杂质的多晶硅。第二填充图案的侧壁被第一填充图案覆盖，第二填充图案包括以不同于第一浓度的第二浓度掺有杂质的多晶硅。
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公开(公告)号：CN106252351B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201610172033.3
申请日：2016-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：栅极组件，设置在器件隔离层上；栅极分隔件，设置在栅极组件的侧表面上；接触组件，设置在栅极分隔件上；气隙，设置在器件隔离层和接触组件之间；第一分隔件覆盖层，设置在栅极分隔件和气隙之间。第一分隔件覆盖层相对于栅极分隔件具有蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN119230569A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410433347.9
申请日：2024-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金局泰
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括多个像素区域，其中，基底包括彼此相对的第一表面和第二表面；以及器件隔离图案，从第一表面延伸并延伸到基底中，其中，器件隔离图案位于多个像素区域之间，其中，器件隔离图案具有中间区域和交叉区域并且包括第一器件隔离部分和第二器件隔离部分，其中，中间区域包括第一介电图案、导电衬垫和第二介电图案，其中，第一介电图案从第一器件隔离部分延伸并朝向第二器件隔离部分延伸，并且其中，第一器件隔离部分包括导电衬垫和第二介电图案。
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公开(公告)号：CN111430389B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201911423578.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
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公开(公告)号：CN111081725B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910938386.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。
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