图像传感器及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114551485A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111305868.9

    申请日:2021-11-05

    Abstract: 图像传感器,包括基底;设置在基底内部的光电转换区域;设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域;设置在沟道区域内部的基底沟槽;设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极;以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。

    光子集成电路封装及其制造方法

    公开(公告)号:CN110196474B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN201910144996.6

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 提供了具有改进的集成的光子集成电路封装以及制造这样的光子集成电路封装的方法。作为示例,光子集成电路封装可以包括基板、在基板上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的光子芯层以及在光子芯层上的第二绝缘层。光子耦合器件可以在光子芯层中,并且可以例如是光栅耦合器和光电探测器中的至少一个。凹面镜可以延伸到至少第二绝缘层中。在一些实施方式中,凹面镜可以延伸穿过第二绝缘层并延伸到第一绝缘层中。

    光子集成电路封装及其制造方法

    公开(公告)号:CN110196474A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201910144996.6

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 提供了具有改进的集成的光子集成电路封装以及制造这样的光子集成电路封装的方法。作为示例,光子集成电路封装可以包括基板、在基板上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的光子芯层以及在光子芯层上的第二绝缘层。光子耦合器件可以在光子芯层中,并且可以例如是光栅耦合器和光电探测器中的至少一个。凹面镜可以延伸到至少第二绝缘层中。在一些实施方式中,凹面镜可以延伸穿过第二绝缘层并延伸到第一绝缘层中。

    图像传感器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111415952A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201911375158.6

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 一种图像传感器包括:半导体基板,具有第一表面和第二表面,该半导体基板包括具有光电转换区的像素区;第一导电图案,在第一沟槽中,该第一沟槽限定像素区并从第一表面朝向第二表面延伸;第二导电图案,在第二沟槽中,该第二沟槽比第一沟槽浅并被限定在像素区的第一表面上的多个有源图案之间;在所述多个有源图案上的传输晶体管和多个逻辑晶体管;以及导电线,在第二表面上并电连接到第一导电图案。

    图像传感器
    8.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114335037A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111048456.1

    申请日:2021-09-08

    Abstract: 一种图像传感器,包括基板和设置在基板中并插置在多个单位像素之间的像素分离图案。所述多个单位像素包括第一单位像素区和在第一方向上邻近第一单位像素区的第二单位像素区。第一单位像素区和第二单位像素区分别包括第一传输栅极和第二传输栅极。像素分离图案包括插置在第一单位像素区和第二单位像素区之间的第一像素分离部以及在第一方向上与第一像素分离部间隔开的第二像素分离部。第一像素分离部的顶表面低于第二像素分离部的顶表面。

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