Invention Grant
- Patent Title: 光子集成电路封装及其制造方法
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Application No.: CN201910144996.6Application Date: 2019-02-27
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Publication No.: CN110196474BPublication Date: 2023-05-16
- Inventor: 池晧哲 , 曹官植 , 赵根煐
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 翟然
- Priority: 10-2018-0064070 20180604 KR 62/635,819 20180227 US
- Main IPC: G02B6/42
- IPC: G02B6/42
Abstract:
提供了具有改进的集成的光子集成电路封装以及制造这样的光子集成电路封装的方法。作为示例，光子集成电路封装可以包括基板、在基板上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的光子芯层以及在光子芯层上的第二绝缘层。光子耦合器件可以在光子芯层中，并且可以例如是光栅耦合器和光电探测器中的至少一个。凹面镜可以延伸到至少第二绝缘层中。在一些实施方式中，凹面镜可以延伸穿过第二绝缘层并延伸到第一绝缘层中。
Public/Granted literature
- CN110196474A 光子集成电路封装及其制造方法 Public/Granted day:2019-09-03
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