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公开(公告)号：CN102883118B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201210246618.7
申请日：2012-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14641
Abstract: 在一个实施例中，一种图像传感器包括被配置为将光信号转换为光电荷的第一光电二极管，被配置为存储第一光电二极管的光电荷的感测节点，以及被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号的电路。所述电路连接到至少第一导电接触件，并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551485A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111305868.9
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。
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公开(公告)号：CN102883118A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210246618.7
申请日：2012-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14641
Abstract: 在一个实施例中，一种图像传感器包括被配置为将光信号转换为光电荷的第一光电二极管，被配置为存储第一光电二极管的光电荷的感测节点，以及被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号的电路。所述电路连接到至少第一导电接触件，并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件之间。
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公开(公告)号：CN115831990A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211121673.3
申请日：2022-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板，该基板包括彼此相邻的第一和第二像素；在基板中将第一和第二像素彼此隔离的器件隔离部分；在第一和第二像素的第一表面上的传输栅极；在第一和第二像素之一中的接地区域；以及堆叠在第二表面上的第一滤色器和微透镜阵列层。深器件隔离部分包括垂直重叠并间隔开的第一和第二隔离部分。第一隔离部分包括从第一表面朝向第二表面延伸的第一导电图案、在第一导电图案上的高浓度掺杂图案以及在第一导电图案和高浓度掺杂图案之间的绝缘图案。接地区域和高浓度掺杂图案包括具有相同导电类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN101106658A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710110170.5
申请日：2007-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/148
Abstract: 例子实施例可以涉及CMOS图像传感器和图像感测方法，根据入射光的数量或入射光量，选择用于光电流的路径。该CMOS图像传感器可以包括由多个像素对构成的像素阵列。像素对可以包括第一像素，包括第一光电二极管、第一晶体管对以及具有第一电容量的第一浮置扩散节点。该像素对还可以包括第二像素，包括第二光电二极管、第二晶体管对以及具有第二电容量的第二浮置扩散节点。第一晶体管对的第一晶体管可以被连接在第一光电二极管和第一浮置扩散节点之间。第一晶体管对的第二晶体管可以被连接在第一光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第一晶体管可以被连接在第二光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第二晶体管可以被连接在第二光电二极管和下一个像素对的第一浮置扩散节点之间。第一浮置扩散节点的第一电容量可以大于第二浮置扩散节点的第二电容量。
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