公开(公告)号：CN110556397B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910160093.7

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  李范硕 ,  林海敏 ,  赵万根

IPC: H10K39/32 ,  H10K39/38

Abstract: 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。

公开(公告)号：CN110854144A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910768375.5

申请日：2019-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  具滋应 ,  金宽植 ,  金东灿 ,  尹一永 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

Abstract: 半导体装置包括：包括像素区和输入/输出区的衬底；延伸贯穿像素区中的衬底的像素隔离图案；置于开口内壁上的第一过孔，该开口延伸贯穿输入/输出区中的衬底，其中，第一过孔包括第一导电材料；置于像素隔离图案上的防干扰图案，其中，防干扰图案包括第二导电材料；和置于衬底上的第一绝缘间层。第一绝缘间层覆盖第一过孔和防干扰图案，并包括置于开口中的第一部分和置于开口外的第二部分。第一部分包括凹入的上表面，第二部分包括实质上平坦的上表面。该装置还包括置于第一绝缘间层第一部分上的抛光停止图案和置于抛光停止图案上的绝缘图案，其中，绝缘图案填充开口的剩余部分，绝缘图案包括与第一绝缘间层第二部分的上表面实质上共面的上表面。

公开(公告)号：CN109801933B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。

公开(公告)号：CN109786410A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811299648.8

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商秀 ,  金政勋 ,  金昶和 ,  李范硕 ,  张刚 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/307

Abstract: 提供了一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电器件，设置在半导体基底内；以及分离结构和电极结构，设置在半导体基底内，并围绕光电器件。分离结构包括第一导电图案和位于第一导电图案与半导体基底之间的第一绝缘分隔件。电极结构中的相应的一个包括第二导电图案和位于第二导电图案与半导体基底之间的第二绝缘分隔件。第一导电图案和第二导电图案由相同的导电材料形成。

公开(公告)号：CN110880519B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910500928.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。

公开(公告)号：CN111415952B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201911375158.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢仁镐 ,  权杜原 ,  权锡镇 ,  金慈明 ,  金振泳 ,  闵诚基 ,  曹官植 ,  赵万根 ,  池晧哲

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：CN109801933A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811365455.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金政勋 ,  朴商秀 ,  金昶和 ,  金亨容 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。

公开(公告)号：CN109786410B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201811299648.8

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商秀 ,  金政勋 ,  金昶和 ,  李范硕 ,  张刚 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：CN111415952A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201911375158.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢仁镐 ,  权杜原 ,  权锡镇 ,  金慈明 ,  金振泳 ,  闵诚基 ,  曹官植 ,  赵万根 ,  池晧哲

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面，该半导体基板包括具有光电转换区的像素区；第一导电图案，在第一沟槽中，该第一沟槽限定像素区并从第一表面朝向第二表面延伸；第二导电图案，在第二沟槽中，该第二沟槽比第一沟槽浅并被限定在像素区的第一表面上的多个有源图案之间；在所述多个有源图案上的传输晶体管和多个逻辑晶体管；以及导电线，在第二表面上并电连接到第一导电图案。

公开(公告)号：CN110828493A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910503830.9

申请日：2019-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。