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公开(公告)号：CN109285848B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810503286.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN109728013B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811215139.2
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。
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公开(公告)号：CN110164904B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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公开(公告)号：CN107527816B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710446932.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极‑漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极‑漏极结构，沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极‑漏极区。导电层形成在源极‑漏极结构上，沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口，并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的，并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的，则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口，并且填充有导电材料以形成所述接触件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107919358B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201710880103.5
申请日：2017-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：在衬底上的栅极结构；分别在衬底的邻近栅极结构的部分上的源极/漏极层；分别接触源极/漏极层的上表面的第一接触插塞；接触栅极结构中的一个的第二接触插塞，第二接触插塞的侧壁由绝缘间隔物覆盖；以及共同地接触栅极结构中的至少一个的上表面和第一接触插塞中的至少一个的第三接触插塞，第三接触插塞的侧壁的至少一部分不被绝缘间隔物覆盖。
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公开(公告)号：CN107919357B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201710749122.4
申请日：2017-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，具有有源区；栅极结构，设置在所述有源区上；源极/漏极区，在所述栅极结构的一侧设置在所述有源区中；第一层间绝缘层及第二层间绝缘层，依序设置在所述栅极结构及所述源极/漏极区上；第一接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层连接到所述源极/漏极区；第二接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层及所述第二层间绝缘层连接到所述栅极结构；第一金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且具有金属通孔，所述金属通孔设置在所述第二层间绝缘层中且连接到所述第一接触插塞；以及第二金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且直接连接到所述第二接触插塞。所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的间隔可为约10nm或小于10nm。
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公开(公告)号：CN111029365A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910959825.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
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公开(公告)号：CN109786410A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811299648.8
申请日：2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/307
Abstract: 提供了一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电器件，设置在半导体基底内；以及分离结构和电极结构，设置在半导体基底内，并围绕光电器件。分离结构包括第一导电图案和位于第一导电图案与半导体基底之间的第一绝缘分隔件。电极结构中的相应的一个包括第二导电图案和位于第二导电图案与半导体基底之间的第二绝缘分隔件。第一导电图案和第二导电图案由相同的导电材料形成。
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公开(公告)号：CN110880519B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910500928.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
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