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公开(公告)号：CN110556397B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910160093.7
申请日：2019-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN110854144A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910768375.5
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体装置包括：包括像素区和输入/输出区的衬底；延伸贯穿像素区中的衬底的像素隔离图案；置于开口内壁上的第一过孔，该开口延伸贯穿输入/输出区中的衬底，其中，第一过孔包括第一导电材料；置于像素隔离图案上的防干扰图案，其中，防干扰图案包括第二导电材料；和置于衬底上的第一绝缘间层。第一绝缘间层覆盖第一过孔和防干扰图案，并包括置于开口中的第一部分和置于开口外的第二部分。第一部分包括凹入的上表面，第二部分包括实质上平坦的上表面。该装置还包括置于第一绝缘间层第一部分上的抛光停止图案和置于抛光停止图案上的绝缘图案，其中，绝缘图案填充开口的剩余部分，绝缘图案包括与第一绝缘间层第二部分的上表面实质上共面的上表面。
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公开(公告)号：CN110880519B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910500928.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
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公开(公告)号：CN111415953B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN110571230B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910148452.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112018167A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010083771.7
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
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公开(公告)号：CN111415953A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN110828493A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910503830.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
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公开(公告)号：CN118076221A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311473976.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底；下绝缘膜；以及电容器结构，电容器结构包括：多个第一导电图案，顺序地堆叠在下绝缘膜上；多个第二导电图案，在所述多个第一导电图案上；第一过孔，在电容器结构的第一侧，其中，第一过孔与所述多个第一导电图案物理地接触并电连接到所述多个第一导电图案，并且不电连接到所述多个第二导电图案；以及第二过孔，在电容器结构的第二侧，其中，第二过孔与所述多个第二导电图案物理地接触并电连接到所述多个第二导电图案，并且不电连接到所述多个第一导电图案。
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公开(公告)号：CN110571230A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910148452.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。
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