公开(公告)号：CN111415953B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202010004290.2

申请日：2020-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  金润庆 ,  朴商秀 ,  李范锡 ,  李泰渊 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。

公开(公告)号：CN111415953A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010004290.2

申请日：2020-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  金润庆 ,  朴商秀 ,  李范锡 ,  李泰渊 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。

公开(公告)号：CN110993628A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910521368.5

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宽植 ,  金昶和 ,  金润庆 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。