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公开(公告)号：CN110556397B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910160093.7
申请日：2019-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN107026988A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610853055.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔珉准
CPC classification number: H01L27/14638 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/44 , G11C29/78 , G11C29/785 , G11C29/832 , H01L22/20 , H01L22/22 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H04N5/3575 , H04N5/378 , H04N5/335 , H04N5/369 , H04N17/045
Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列和外围电路。外围电路电连接到像素阵列，并且包括逻辑块和用于当该逻辑块是缺陷块时替代该逻辑块的至少一个冗余块。
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公开(公告)号：CN118367005A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410069484.9
申请日：2024-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：第一半导体芯片，包括具有像素单元的第一半导体基底、具有第一布线层的第一布线结构和第一接合垫；第二半导体芯片，包括具有第一表面和第二表面的第二半导体基底、在第一表面上的与第一布线结构接触且具有第二布线层的第二布线结构、接合到第一接合垫的第二上接合垫、以及连接到第二布线层且延伸到第二表面的过孔结构；接合层，包括在第二表面上的接合绝缘层和连接到过孔结构的第二下接合垫；以及第三半导体芯片，包括第三半导体基底、与接合绝缘层接触的第三布线结构和接合到第二下接合垫的第三接合垫。
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公开(公告)号：CN110880519B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910500928.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111415953B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN111048539A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910959846.0
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔珉准
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种成像装置可以包括：有源像素区域，有源像素包括在光电信号的生成中；和虚设像素区域，虚设像素不包括在光电信号的生成中。虚设像素的电特性可影响有源像素产生的光电信号，除非在两者之间提供降低导电性的绝缘。图像传感器包括：衬底，其包括有源像素区域和虚设像素区域；像素隔离结构，其至少部分地穿透衬底并且配置为降低有源像素区域中的有源像素与虚设像素区域中的虚设像素之间的导电性；以及虚设隔离结构，其至少部分地穿透虚设像素区域中的衬底。
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公开(公告)号：CN112637524B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010964195.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器设备包括：第一数字像素，包括第一光电检测器和第一存储单元，第一存储单元用于存储与来自第一光电检测器的第一输出相对应的第一数字信号；以及第二数字像素，包括第二光电检测器和第二存储单元，第二存储单元用于存储与来自第二光电检测器的第二输出相对应的第二数字信号，第二数字像素与第一数字像素的一侧相邻，第一存储单元和第二存储单元与多个位线相连，第一存储单元与第一字线和第三字线相连，第二存储单元与第二字线和第四字线相连，第二字线在第一字线与第三字线之间，并且第三字线在第二字线与第四字线之间。
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公开(公告)号：CN115988346A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211261665.9
申请日：2022-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，多个像素被布置在像素阵列中。多个像素中的每一个包括灵敏度基于外部电压来调整的有机光电二极管、硅光电二极管、第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点、转换增益晶体管和驱动晶体管。由硅光电二极管生成的电荷在第一浮动扩散节点中累积。由有机光电二极管生成的电荷在第二浮动扩散节点中累积。转换增益晶体管的一端连接到第一浮动扩散节点，并且另一端连接到第二浮动扩散节点。驱动晶体管被配置为生成与第一浮动扩散节点的电压对应的像素信号。
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公开(公告)号：CN111415953A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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