公开(公告)号：CN109585473A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811132946.8

申请日：2018-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  白寅圭 ,  宋泰荣

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造图像感测设备的方法，包含：形成包含像素区域的第一区域的第一衬底结构，第一衬底结构具有第一表面和第二表面；形成包含用于驱动像素区域的电路区域的第二衬底结构，第二衬底结构具有第三表面和第四表面；将第一衬底结构结合到第二衬底结构，以使得第一表面连接到第三表面；在第二表面上形成像素区域的第二区域；形成第一连接通孔，第一连接通孔从第二表面延伸以穿过第一衬底结构；使用导电凸块将半导体芯片安装在第四表面上；以及将第一衬底结构、第二衬底结构以及半导体芯片的堆叠结构分离成单元图像感测设备。

公开(公告)号：CN109962054B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201811215891.7

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  尹惺铉

IPC: H01L23/522

Abstract: 公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。

公开(公告)号：CN109728012B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201811210354.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。

公开(公告)号：CN109962054A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811215891.7

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  尹惺铉

IPC: H01L23/522

Abstract: 公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。

公开(公告)号：CN109728012A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811210354.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。