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公开(公告)号：CN109493911A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811022123.X
申请日：2018-09-03
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G06F11/006 , G06F3/0653 , G06F11/073 , G06F11/0772 , G06F11/0787 , G11C29/44 , G11C29/82
摘要： 一种用于控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法包括：从非易失性存储器件接收关于操作失败的信息，从非易失性存储器件接收锁出状态信息，基于锁出状态信息确定是否输出了锁出信号，以及根据确定结果将与关于操作失败的信息相对应的失败块确定为正常块或坏块。
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公开(公告)号：CN108958961A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710362875.X
申请日：2017-05-22
申请人： 上海宝存信息科技有限公司
发明人： 阳学仕
IPC分类号： G06F11/10
CPC分类号： G11C29/44 , G06F12/0246 , G06F12/0253 , G06F2212/1032 , G06F2212/2022 , G06F2212/7204 , G06F2212/7205 , G06F2212/7207 , G11C29/42 , G11C29/4401 , G11C29/52 , G06F11/1068
摘要： 本发明提出一种高可靠度数据储存装置，其中非易失性存储器的储存空间包括多个第一阶单元，且该多个第一阶单元更分组为多个第二阶单元。控制单元使第一阶单元各自编有检正校验码，并在读取一指定的第一阶单元时，根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的检正校验码的数据状况，据以自我检测含括该指定的第一阶单元的一指定的第二阶单元的其他空间。
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公开(公告)号：CN108877870A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810204922.2
申请日：2018-03-13
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 刘正宅
CPC分类号： G11C29/44 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C17/16 , G11C29/42 , G11C29/52 , G11C29/787 , G11C2029/4402
摘要： 本发明公开了一种存储器件，其包括：多个存储单元阵列，每个存储单元阵列包括正常单元阵列和冗余单元阵列；第一熔丝单元，其包括与存储单元阵列之中的第一存储单元阵列相对应的多个第一熔丝组；第二熔丝单元，其包括与存储单元阵列之中的第二存储单元阵列相对应的多个第二熔丝组，第一熔丝组分别与第二熔丝组相对应；以及修复单元，其适用于基于表示第一熔丝组和第二熔丝组中的每个熔丝组是故障还是可用的信息，从第一熔丝组和述第二熔丝组中选择彼此对应的一对熔丝组，并且对选中的熔丝组对中的存储单元阵列的修复目标列地址进行编程。
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公开(公告)号：CN108735268A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710255450.9
申请日：2017-04-19
申请人： 恩智浦美国有限公司
IPC分类号： G11C29/44
CPC分类号： G06F11/2094 , G06F11/0793 , G06F11/1064 , G06F11/1666 , G06F11/18 , G06F11/181 , G06F2201/805 , G06F2201/82 , G11C29/44 , G11C29/4401 , G11C29/76 , G11C29/789 , G11C29/808 , G11C29/846 , G11C2029/0403 , G11C2029/1208 , G11C2029/4402
摘要： 本公开涉及非易失性存储器修复电路。一种集成电路包含片上闪存存储器、EEPROM、高速缓冲存储器和修复控制器。当在闪存存储器中检测到缺陷地址时，将要存储于缺陷地址的已排入数据(data slotted)由修复控制器存储于EEPROM中。高速缓冲存储器包括内容可寻址存储器(CAM)，CAM检查读地址与带缺陷的存储器地址，并且如果存在匹配，则存储于EEPROM中的数据被移至高速缓冲，使得它能够代替存储于闪存存储器的有缺陷位置的数据而被输出。存储器修复系统不需要任何熔丝，闪存也不需要包含冗余的行或列。此外，缺陷地址还能够被即时检测并修复。
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公开(公告)号：CN108694989A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810249317.7
申请日：2018-03-23
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C29/44 , G11C29/38 , G11C29/789 , G11C29/56008 , G11C29/82
摘要： 一种存储设备包括非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备在选定的存储单元的编程操作期间检测多个目标状态中的至少一个目标状态的状态通过循环的循环计数，并且基于检测到的状态通过循环的循环计数来生成指示编程操作是否成功的状态循环计数信息(SLCI)；以及存储控制器，其响应于检测到操作条件或外部命令，向非易失性存储器设备请求状态循环计数信息，并且基于来自非易失性存储器设备的状态循环计数信息，将包括选定的存储单元的存储块指派为坏块。
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公开(公告)号：CN108491288A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810051991.4
申请日：2018-01-19
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G06F11/10 , G11C29/44 , G11C11/412
CPC分类号： G06F11/0727 , G06F11/0751 , G06F11/0781 , G06F11/0793 , G06F11/1048 , G06F11/106 , G11C29/52 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C11/412 , G11C29/44
摘要： 集成电路可以包括多个配置随机存取存储器(CRAM)区段，其将逻辑区段配置为执行用户定义的功能。由CRAM区段配置的逻辑电路可以在其对于集成电路的操作的关键度方面变化。可以向错误检测电路提供优先化错误检测调度，允许对用于配置对集成电路的操作而言关键的逻辑电路的区段进行更频繁的检查。在给定CRAM区段中检测到错误时，灵敏度映射可以用于确定对应于有错误的CRAM区段的逻辑位置。灵敏度处理器可以向逻辑位置指派关键度等级，并且可以基于对应于区段的关键度等级和逻辑位置来确定针对有错误的CRAM区段的适当校正动作。
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公开(公告)号：CN108417232A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201711138877.7
申请日：2017-11-16
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 朴振
CPC分类号： G06F13/1668 , G11C5/143 , G11C5/144 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/30 , G11C16/3445 , G11C17/18 , G11C29/06 , G11C29/44 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G11C2029/4402
摘要： 本发明涉及一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置；电源管理单元，其适于输出第一低电压检测信号和第二低电压检测信号，每个低电压检测信号表示源电压的电压电平等于或低于预定参考电压电平；以及处理器，其适于计算第一低电压检测信号和第一低电压检测信号之前的第二低电压检测信号之间的检测间隔，将计算出的检测间隔与预定阈值检测间隔进行比较，并基于比较结果确定管理根据低电压生成的恢复操作的执行的主体。
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公开(公告)号：CN108091367A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201710598870.7
申请日：2017-07-21
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： G11C29/44 , G11C16/04 , G11C16/349 , G11C29/26 , G11C29/52 , G11C29/56 , G11C2029/0409 , G11C2029/1204
摘要： 本发明提供一种失败位计数器。失败位计数器包括：通过/失败数据接收器，其接收指示联接到位线的存储器单元是顺序地通过还是失败的通过/失败数据；以及失败位累加器，其从通过/失败数据接收器接收失败位生成信号，并且对生成的失败位进行累加和计数。
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公开(公告)号：CN107729259A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710686812.X
申请日：2017-08-11
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G11C16/3431 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/52 , G06F12/0246 , G06F2212/7211
摘要： 本发明公开了一种用于根据存储器的一个或多个条件来确定对存储器的读取操作的阈值数量的技术。如果存储器的读取操作的数量满足读取操作的阈值数量，则可以执行读取回收操作以保存存储在其中的数据。
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公开(公告)号：CN107705819A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710862503.3
申请日：2017-09-21
申请人： 深圳市致存微电子企业(有限合伙)
发明人： 方时灵
CPC分类号： G11C29/56 , G11C29/44 , G11C2029/4402
摘要： 本发明公开了一种存储芯片分类方法、分类装置及分类系统，所述方法包括：获取待测存储芯片的标识信息，并根据所述标识信息获取所述待测存储芯片对应的检测指令，然后根据所述检测指令对所述待测存储芯片进行质量检测，获取检测结果参数，再根据所述检测结果参数对所述待测存储芯片进行分类，获取所述待测存储芯片对应的质量等级。由于是根据待测存储芯片的标识信息来获取对应的检测指令，从而加快了待测存储芯片的质量检测过程，提高了检测效率，同时由于是根据获取到的检测结果参数来对待测存储芯片进行分类并确定待测存储芯片对应的质量等级，从而保证了检测结果的高准确性，避免了后续返工增加的额外成本，提高了经济效益。
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