公开(公告)号：CN118939469A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410965557.2

申请日：2019-09-09

申请人： 美光科技公司

发明人： 利穗吉郎 ,  清水淳史 ,  朴尚坚 ,  郭钟太

IPC分类号： G06F11/10 ,  G06F13/16 ,  G06F13/42 ,  G11C29/42 ,  G11C29/52 ,  G11C29/00 ,  H03M13/05 ,  H03M13/31 ,  H03M13/00 ,  G11C29/04

摘要： 本公开涉及用于半导体存储器的错误校正编码及数据总线反转的设备及方法。一种实例设备包含：I/O电路，其经配置以接收第一数据及与所述第一数据相关联的第一ECC数据；存储器阵列；及控制电路。所述控制电路耦合于所述I/O电路与所述存储器阵列之间。所述控制电路经配置以至少部分响应于所述第一数据及所述第一ECC数据而执行第一ECC解码以产生校正第一数据及校正第一ECC数据。所述控制电路进一步经配置以将所述校正第一数据及所述校正第一ECC数据两者存储到所述存储器阵列中。

公开(公告)号：CN118885326A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410784182.X

申请日：2022-06-30

申请人： 华为技术有限公司 ,  昆山杜克大学

发明人： 顾新理 ,  徐士鑫 ,  万军 ,  骆佳琦 ,  唐鲲 ,  董伟伟

IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C29/42

摘要： 公开了内存错误预测方法、装置及设备，涉及计算机领域。获取到内存错误数据后，基于反映内存错误的时空信息以及内存物理结构，确定受内存错误影响的预测区域和预测区域发生内存错误的时间范围。由于内存中阵列排布的存储单元之间具有连接关系。当至少一个存储单元发生错误时，可能导致与该至少一个存储单元关联的区域也发生错误。如此，依据内存错误数据确定内存中发生错误的位置和发生错误的时间，结合内存物理结构指示的存储单元间的连接关系，从硬件结构的角度深入分析受内存错误影响的潜在风险区域，以及潜在风险区域发生错误的时间范围。相对于仅分析内存错误数据来预测可能发生的错误，能够有效地提高内存错误预测的精准率和覆盖率。

公开(公告)号：CN118871992A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202480001482.4

申请日：2024-02-06

申请人： 美光科技公司

发明人： M·A·布莱瑟

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C29/42

摘要： 存储器装置可被指派唯一地识别多存储器装置系统中的所述存储器装置的枚举值。在一些实例中，通过对所述存储器装置中的一或多条熔丝进行编程来指派所述枚举值。在一些实例中，封装后修复操作可用于对所述熔丝进行编程。

公开(公告)号：CN118800307A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310402077.0

申请日：2023-04-14

申请人： 慧荣科技股份有限公司

发明人： 李法豪

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C29/42

摘要： 一种数据存储装置及其读取电压的搜寻方法，包括通过多个读取电压分别读取一存储器区段以获取多个采样数据，其中多个读取电压两两相邻，存储器区段来自于非易失性闪存；统计每一采样数据中第一比特的数目，每一第一比特数目对应于每一读取电压；获取每两相邻的读取电压所对应的第一比特数目的差值；根据多个读取电压与多个第一比特数目差值计算系数矩阵；根据多个读取电压与系数矩阵计算多个拟合数值，每一拟合数值对应每一读取电压；以及选择多个拟合数值中的最小值所对应的读取电压来读取存储器区段以进行错误更正程序。

公开(公告)号：CN112988627B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202011362480.8

申请日：2020-11-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金鼎勋 ,  金圣训 ,  金弘国 ,  朴绍正

IPC分类号： G06F13/16 ,  G11C29/42 ,  G06F3/06 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G06F12/0882

摘要： 一种存储设备，包括：非易失性存储，其包括第一区域和第二区域；存储控制器，其控制非易失性存储的操作；以及缓冲存储器，其连接到存储控制器。存储控制器将从主机设备接收的用户数据存储在第二区域中，将与用户数据的管理相关联且由主机设备的文件系统生成的元数据存储在第一区域中，响应于与元数据相关联的索引节点(inode)的地址信息将元数据从第一区域加载到缓冲器，并使用加载到缓冲存储器的元数据访问第二区域中的目标数据。

公开(公告)号：CN118782108A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202310370020.7

申请日：2023-04-07

申请人： 上海江波龙数字技术有限公司

发明人： 陈飞 ,  陶伟 ,  孔维镇

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C5/14 ,  G11C29/42

摘要： 本申请公开了一种数据读取方法、存储设备以及存储介质。所述数据读取方法包括：基于基准读电压对存储器进行软解码，响应于软解码失败，判断软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量是否不小于预设阈值；当存储单元数量不小于预设阈值，基于预设步长调整基准读电压；将调整后的基准读电压作为新的基准读电压，再次执行基于基准读电压对存储器进行软解码的步骤，直至软解码成功得到最优读电压或软解码次数达到预设迭代次数；其中，预设阈值是基于与最优读电压相差二分之一个波峰的目标基准读电压进行设置的。上述方案，提高软解码的纠错性能，提高软解码的解码成功率，从而提升产品在各个场景下的读恢复性能。

公开(公告)号：CN118409893B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410868831.4

申请日：2024-07-01

申请人： 深圳市铨兴科技有限公司

发明人： 黄少娃 ,  郭威成 ,  黄旭彪 ,  吴桂冠 ,  刘政宏 ,  陈超鑫

IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C29/42

摘要： 本发明公开的一种固态硬盘数据纠错方法、系统及固态硬盘，其中方法包括：读取监测到的固态硬盘运行数据；基于所述固态硬盘运行数据进行纠错校验得到校验结果，其中，纠错校验方式包括比特错误和最大错位数；结合所述校验结果进行数据纠错，其中，数据纠错包括调整纠错校验码以及纠错位数门限步长。本发明能够提升错误校验能力，并且可以根据固态硬盘内各个物理块的状态进行针对性纠错，进而提升固态硬盘的使用寿命，可以有效地保护固态硬盘内的数据稳定。

公开(公告)号：CN113223599B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202011037086.7

申请日：2020-09-28

申请人： 爱思开海力士有限公司 ,  韩国科学技术院

发明人： 河庭锡 ,  吴智恩 ,  金明仁

IPC分类号： G11C29/42 ,  G11C16/08 ,  H03M13/11

摘要： 本公开涉及一种操作低密度奇偶校验(LDPC)解码器的方法，该方法包括将码字的每个符号指定为多个变量节点中的每一个的变量节点值，基于奇偶校验矩阵对每个校验节点执行校正子校验，基于校验节点的校正子值和翻转函数来计算变量节点的翻转函数值，将翻转函数值划分为多个组，基于多个组之中的组的组最大值来确定翻转函数阈值，并且基于相应变量节点的翻转函数值与所确定的翻转函数阈值的比较结果，选择性地翻转变量节点值。

公开(公告)号：CN118672494A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410277893.8

申请日：2024-03-12

申请人： 美光科技公司

发明人： S·艾亚普利迪 ,  W·W·博里 ,  D·G·蒙蒂尔斯 ,  G·N·格拉布 ,  M·Y·吴 ,  A·M·盖德勒

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06F11/10 ,  G11C29/42

摘要： 本申请涉及用以在主机上执行数据交换的设备和方法。示例性主机包含：数据映射解码器，其经配置以对从存储器模块接收的重排映射信号进行解码以提供数据映射设置；数据输入/输出电路，其经配置以经由数据总线从所述存储器模块接收多个数据位；及数据调整电路，其经配置以基于所述数据映射设置来重新布置所述多个数据位的次序以提供多个经调整数据位。

公开(公告)号：CN113314173B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202110211627.1

申请日：2021-02-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 野口纮希

IPC分类号： G11C11/4091 ,  G11C29/42

摘要： 一种在存储器器件中执行的刷新操作。在存储器器件的单元阵列中执行未旋转地址的刷新操作。将执行未旋转地址的刷新操作重复预定次数。在重复执行旋转了地址的刷新操作预定次数之后，在单元阵列中执行旋转了地址的刷新操作。