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公开(公告)号:CN108417232A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201711138877.7
申请日:2017-11-16
申请人: 爱思开海力士有限公司
发明人: 朴振
CPC分类号: G06F13/1668 , G11C5/143 , G11C5/144 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/30 , G11C16/3445 , G11C17/18 , G11C29/06 , G11C29/44 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G11C2029/4402
摘要: 本发明涉及一种数据存储装置,其包括:非易失性存储器装置;电源管理单元,其适于输出第一低电压检测信号和第二低电压检测信号,每个低电压检测信号表示源电压的电压电平等于或低于预定参考电压电平;以及处理器,其适于计算第一低电压检测信号和第一低电压检测信号之前的第二低电压检测信号之间的检测间隔,将计算出的检测间隔与预定阈值检测间隔进行比较,并基于比较结果确定管理根据低电压生成的恢复操作的执行的主体。
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公开(公告)号:CN107683506A
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201680034994.6
申请日:2016-06-09
申请人: 索尼公司
IPC分类号: G11C11/15 , G11C11/412 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号: G11C11/419 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C11/15 , G11C11/412 , G11C11/417 , G11C2213/54 , H01L43/08
摘要: 本发明涉及一种允许使由于将数据写入到非易失性存储单元中而产生的能量消耗最小化的半导体设备。写入控制电路34存储与存储在MTJ元件MTJ1、MTJ2中的数据相同的数据。当将由从锁存器32保持的数据存储在MTJ元件MTJ1、MTJ2中时,写入控制电路34进行控制以通过将存储在其中的数据与由从锁存器32保持的数据进行比较来确定是否将由从锁存器32保持的数据写入到MTJ元件MTJ1、MTJ2。当存储在其中的数据与由从锁存器32保持的数据相匹配时,写入控制电路34进行控制以确定不将数据写入到MTJ元件MTJ1、MTJ2中。
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公开(公告)号:CN103562999B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201280026184.8
申请日:2012-05-15
申请人: 美光科技公司
发明人: 丹沢彻 , 阿里·法伊兹·扎尔林·加莱姆
CPC分类号: G11C7/22 , G11C5/143 , G11C7/1066 , G11C7/1087 , G11C7/1093
摘要: 本发明描述包含启用电路的装置及系统的实例。可使用两个电压供应来操作所述装置的不同部分,包含外围电路及I/O电路。当停用到一个或一个以上装置的所述外围电路的所述电压供应时,可停用所述装置的所述I/O电路。在一些实例中,可部分地通过消除或减少穿过所述I/O电路的DC电流路径来有利地节省电力。
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公开(公告)号:CN104700886A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201310654610.9
申请日:2013-12-06
申请人: 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号: G11C11/413
CPC分类号: G06F1/3203 , G06F1/3275 , G06F3/065 , G06F11/07 , G06F11/3037 , G06F11/3055 , G06F11/3058 , G11C5/143 , G11C5/148 , G11C7/1063 , G11C7/20 , H03K3/0315 , H03L7/00 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , G11C5/14
摘要: 用于数据处理器的电源控制电路用相应于存储器性能等级的供电电压供应存储器阵列。所述性能等级包括完全性能等级进而省电性能等级。电压传感电路传感所述存储器阵列的电压等级并且输出电源状态信号。所述电源状态信号用于确定当所述存储器阵列是苏醒时,能够被访问。
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公开(公告)号:CN101842846B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN200880114400.8
申请日:2008-12-11
申请人: 考文森智财管理公司
发明人: 金镇祺
IPC分类号: G11C16/06
摘要: 本发明提供一种和异步操作以及同步串行操作可兼容的双重功能存储器装置架构。双重功能存储器装置架构包括具有两个不同功能分配的一组物理端口。在存储器装置的物理端口和内核电路之间耦合的是异步和同步输入和输出信号路径或者电路。信号路径包括耦合到该端口的共享或者专用缓存器、异步和同步命令译码器、切换器网络和模式检测器。模式检测器根据端口确定双重功能存储器装置的操作模式,并且提供合适的切换选择信号。切换器网络响应于切换选择信号将输入或者输出信号通过异步或者同步电路发送。合适的命令译码器解释该输入信号并且为命令控制逻辑提供用于初始化对应操作的必要信号。
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公开(公告)号:CN101636794B
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN200880009001.5
申请日:2008-03-19
申请人: 英特尔公司
发明人: S·S·西赫
CPC分类号: G11C5/144 , G01R31/318536 , G01R31/318575 , G11C5/143 , G11C19/00 , G11C19/28 , G11C2029/3202 , H03K3/0375
摘要: 一种设备与替代电源传递通道共享现有的测试信号路由路径,该替代电源传递通道通向位于组合逻辑部分中的寄存器的部分。
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公开(公告)号:CN103530208A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201210229561.X
申请日:2012-07-04
申请人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
IPC分类号: G06F11/22
CPC分类号: G11C29/12005 , G11C5/04 , G11C5/143 , G11C7/1063 , G11C7/1072 , G11C2029/0409
摘要: 本发明提供一种内存条,包括存储芯片、寄存器芯片以及连接端,该存储芯片用于存储输入该内存条的数据,该寄存器芯片用于存储该内存条的工作参数,该连接端用于将自外部设备输入的待存储的数据传输至该存储芯片,以及将自存储芯片输出至该外部设备的数据传输至该外部设备,该内存条还包括侦测控制电路,该侦测控制电路用于侦测该存储芯片与寄存器芯片的工作状态,并且将检测结果自该连接端输出。
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公开(公告)号:CN101625895B
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN200910158601.4
申请日:2009-07-07
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 山平征二
IPC分类号: G11C16/06 , G11C11/4074 , G11C11/4193 , H02M3/07 , G06F1/26
摘要: 本发明提供一种内部电压发生电路,对于输出负载可以适当设定第1、第2升压电路的电流供给能力。按以下方式构成:将第2升压电路(101)与第1升压电路(901的输出端子连接,进而在起动后,可以降低第2升压电路(101)的升压时钟频率。由此,不仅可以缩短第2升压电路(101)的起动时间,还可以在起动后,增大第1升压电路(901)的电流供给能力。另外,在第2升压电路(101)驱动时,不会使第1升压电路(901)的输出电压发生瞬时变动,可以稳定提供第1和第2升压电路(901、101)的输出电压。
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公开(公告)号:CN1805051B
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN200510126866.8
申请日:2002-06-28
申请人: 株式会社东芝
CPC分类号: G11C16/04 , G11C5/143 , G11C7/1006 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C7/1072 , G11C7/1078 , G11C7/20 , G11C7/22 , G11C16/20
摘要: 本发明的目的是提供一种半导体存储器件,其特征在于包括输出设置在封装内的存储器芯片的忙状态的忙状态输出专用焊盘,在上述存储器芯片处于忙状态的情况下上述焊盘被设定为第1电压,在上述存储器芯片处于就绪状态的情况下上述焊盘被设定为第2电压,将上述焊盘设定为第2电压的装置被设置在上述存储器芯片内。根据本发明的半导体存储器件,能够避免在一个封装内安装了多个存储器芯片的情况下出现忙信号在总线上发生冲突而导致误动作。
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