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公开(公告)号：CN112637524A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010964195.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器设备包括：第一数字像素，包括第一光电检测器和第一存储单元，第一存储单元用于存储与来自第一光电检测器的第一输出相对应的第一数字信号；以及第二数字像素，包括第二光电检测器和第二存储单元，第二存储单元用于存储与来自第二光电检测器的第二输出相对应的第二数字信号，第二数字像素与第一数字像素的一侧相邻，第一存储单元和第二存储单元与多个位线相连，第一存储单元与第一字线和第三字线相连，第二存储单元与第二字线和第四字线相连，第二字线在第一字线与第三字线之间，并且第三字线在第二字线与第四字线之间。
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公开(公告)号：CN117479030A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310549363.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/703
Abstract: 提供了一种图像传感器及其操作方法。该图像传感器包括输出第一像素信号的第一像素、输出第二像素信号的第二像素、斜坡信号生成器和比较器。第一像素包括第一传输晶体管、第一浮置扩散节点和第一增益控制晶体管。第二像素包括第二传输晶体管和第二浮置扩散节点。比较器比较第一和第二像素信号。第一像素在第一周期中在HCG模式下操作以输出第一像素信号作为第一HCG像素信号，并且在第二周期中在LCG模式下操作以输出第二像素信号作为第一LCG像素信号。第二像素的第二浮置扩散节点的重置电平在第一周期和第二周期之间的过渡重置周期中通过列线提供给比较器。
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公开(公告)号：CN115942136A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210932840.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供的是一种包括多个像素的像素阵列和一种图像传感器。提供的是一种包括多个像素的像素阵列，每一个所述像素包括：光电二极管，所述光电二极管被配置为在包括多个单位帧的帧中生成光电荷；浮置扩散节点，所述浮置扩散节点被配置为接收所述光电荷；第一存储电容器，所述第一存储电容器被配置为通过所述浮置扩散节点接收并存储在所述多个单位帧中的每一个单位帧中的第一单位累积时间段期间由所述光电二极管生成的第一光电荷；和第二存储电容器，所述第二存储电容器被配置为通过所述浮置扩散节点接收并存储在所述多个单位帧中的每一个单位帧中的第二单位累积时间段期间由所述光电二极管生成的第二光电荷。
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公开(公告)号：CN112637524B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010964195.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器设备包括：第一数字像素，包括第一光电检测器和第一存储单元，第一存储单元用于存储与来自第一光电检测器的第一输出相对应的第一数字信号；以及第二数字像素，包括第二光电检测器和第二存储单元，第二存储单元用于存储与来自第二光电检测器的第二输出相对应的第二数字信号，第二数字像素与第一数字像素的一侧相邻，第一存储单元和第二存储单元与多个位线相连，第一存储单元与第一字线和第三字线相连，第二存储单元与第二字线和第四字线相连，第二字线在第一字线与第三字线之间，并且第三字线在第二字线与第四字线之间。
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公开(公告)号：CN112087585B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010189069.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种互补金属氧化物(CMOS)图像传感器CIS包括：多个像素，以二维(2D)阵列布置，并且各自包括光电二极管；多个模数转换器(ADC)，被配置为以像素为单位执行自动曝光(AE)；以及读出电路，被配置为按行读取像素的像素信号。多个像素和多个ADC的数量相同，并且以一一对应的方式彼此连接。多个ADC中的每一个对相应的一个像素执行AE。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137685A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211449506.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/772 , H04N25/78 , H04N25/60
Abstract: 提供了一种模数转换器、图像感测装置及其信号处理方法，所述图像感测装置包括：像素阵列，所述像素阵列包括多个像素；以及模数转换器(ADC)，所述ADC被配置为将模拟信号转换成数字信号。所述ADC包括：第一电路，所述第一电路被配置为从所述多个像素当中的选定像素接收所述模拟信号并且生成第一输出信号；以及第二电路，所述第二电路包括选择晶体管，所述选择晶体管被配置为基于所述第一输出信号对电连接到所述选择晶体管的浮置节点施加电压。所述第二电路还包括：电容器，所述电容器并联连接在所述选择晶体管的栅极与漏极之间；以及输出电路，所述输出电路连接到所述浮置节点并且被配置为基于对所述浮置节点施加的所述电压来输出所述数字信号。
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公开(公告)号：CN115988346A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211261665.9
申请日：2022-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，多个像素被布置在像素阵列中。多个像素中的每一个包括灵敏度基于外部电压来调整的有机光电二极管、硅光电二极管、第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点、转换增益晶体管和驱动晶体管。由硅光电二极管生成的电荷在第一浮动扩散节点中累积。由有机光电二极管生成的电荷在第二浮动扩散节点中累积。转换增益晶体管的一端连接到第一浮动扩散节点，并且另一端连接到第二浮动扩散节点。驱动晶体管被配置为生成与第一浮动扩散节点的电压对应的像素信号。
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公开(公告)号：CN113556487A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110436360.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/3745
Abstract: 提供了一种像素阵列和图像传感器。图像传感器包括衬底、像素的像素阵列，每个像素包括像素电路和像素转换装置。像素电路形成在与衬底中的像素对应的像素区中。像素转换装置布置在衬底上以与像素电路竖直叠置。像素电路包括浮置扩散节点、重置开关装置以及包括负载装置和多个开关装置的放大器，负载装置布置在像素区中。
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公开(公告)号：CN112087585A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010189069.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种互补金属氧化物(CMOS)图像传感器CIS包括：多个像素，以二维(2D)阵列布置，并且各自包括光电二极管；多个模数转换器(ADC)，被配置为以像素为单位执行自动曝光(AE)；以及读出电路，被配置为按行读取像素的像素信号。多个像素和多个ADC的数量相同，并且以一一对应的方式彼此连接。多个ADC中的每一个对相应的一个像素执行AE。
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