公开(公告)号：CN108288623B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201711344138.3

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李泰渊

IPC: H04N25/00 ,  H04N25/47

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：光敏元件，响应于入射光来生成电荷；存储二极管，形成在衬底中，其中存储二极管存储由光敏元件生成的电荷；浮置扩散区域，形成在衬底的顶面中并且与存储二极管间隔开；以及转移栅极，至少部分地埋置在衬底的顶面的下方，其中转移栅极控制电荷从存储二极管向浮置扩散区域转移。

公开(公告)号：CN108269813A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711430935.3

申请日：2017-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李泰渊

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14893 ,  H01L31/062 ,  H01L27/14614

Abstract: 一种图像传感器可包括衬底，其包括多个单元像素区并且具有彼此面对的第一表面和第二表面。单元像素区中的每一个可包括：在衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件；存储节点，它们设置在衬底中并且与浮置扩散部件间隔开，并且面对浮置扩散部件；转移栅极，其邻近于浮置扩散部件与存储节点之间的区；以及光电转换部件，它们按次序堆叠在第一表面和第二表面之一上。光电转换部件中的每一个可包括分别设置在其顶表面和底表面上的公共电极和像素电极，并且各个像素电极可电连接至对应的一个存储节点。

公开(公告)号：CN113556487A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110436360.6

申请日：2021-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋明来 ,  李贵德 ,  李泰渊 ,  全在勋

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/3745

Abstract: 提供了一种像素阵列和图像传感器。图像传感器包括衬底、像素的像素阵列，每个像素包括像素电路和像素转换装置。像素电路形成在与衬底中的像素对应的像素区中。像素转换装置布置在衬底上以与像素电路竖直叠置。像素电路包括浮置扩散节点、重置开关装置以及包括负载装置和多个开关装置的放大器，负载装置布置在像素区中。

公开(公告)号：CN111199990A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911124423.3

申请日：2019-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李泰渊 ,  朴相千

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。

公开(公告)号：CN107785385B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201710741357.9

申请日：2017-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰渊 ,  李贵德 ,  李明源

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和一种图像传感器。半导体器件可以包括：衬底；衬底中的器件隔离图案，以将第一像素和第二像素彼此电隔离；器件隔离图案中的导电图案；以及器件隔离图案的侧表面上的掺杂层。掺杂层的导电类型可以与衬底的导电类型不同。

公开(公告)号：CN111129072A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911312886.2

申请日：2018-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  金政勳 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  严祥训 ,  李范硕 ,  李泰渊 ,  任东模

IPC: H01L27/30

Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

公开(公告)号：CN109560105A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201810661733.8

申请日：2018-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  金政勳 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  严祥训 ,  李范硕 ,  李泰渊 ,  任东模

IPC: H01L27/30

Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

公开(公告)号：CN108878397A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810442999.3

申请日：2018-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李光敏 ,  李泰渊 ,  石井胜

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/442

Abstract: 提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。

公开(公告)号：CN118866918A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202311534265.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒋玟浩 ,  权杜原 ,  金度延 ,  李贵德 ,  林京泰

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一衬底，其具有包括第一电子元件的第一半导体层、在第一半导体层上的第一绝缘层、在第一绝缘层中并通过第一衬底的第一侧被暴露的第一导电焊盘和在第一绝缘层中连接到第一半导体层的第一布线；以及第二衬底，其附接到第一衬底的第一侧，并具有包括第二电子元件的第二半导体层、在第二半导体层上的第二绝缘层、在第二绝缘层中的第二布线、穿透第二半导体层并连接到第二布线的通孔件和连接通孔件与第一衬底的第一导电焊盘的第二导电焊盘，第二导电焊盘的至少一部分在第二半导体层中。

公开(公告)号：CN118398632A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410081309.1

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴均河 ,  姜正淳 ,  朴锺银 ,  李贵德 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括在竖直方向上堆叠的第一结构和第二结构，其中，第一结构包括第一像素区域、光电转换单元、浮置扩散区域、第一层间绝缘层和第一像素垫，光电转换单元在第一像素区域中，浮置扩散区域在第一像素区域中，第一层间绝缘层在浮置扩散区域上，第一像素垫电连接到浮置扩散区域，第二结构包括第二像素区域、源极跟随器晶体管、第二层间绝缘层和第二像素垫，源极跟随器晶体管在第二像素区域中，第二层间绝缘层在源极跟随器晶体管上，第二像素垫电连接到源极跟随器晶体管的栅极，并且所述图像传感器包括耦合防止线，耦合防止线围绕第一像素垫和第二像素垫布置并且电连接到源极跟随器晶体管的源极区域。