公开(公告)号：CN111199990B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201911124423.3

申请日：2019-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李泰渊 ,  朴相千

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。

公开(公告)号：CN115708215A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202210865470.9

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相千 ,  朴成凤 ,  李范硕

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：像素，平行于基底的上表面布置；以及像素隔离膜，设置在像素之间。每个像素包括：浮置扩散区域，掺杂有第一导电类型的杂质；传输栅极结构，邻近于浮置扩散区域；以及晶体管。传输栅极结构包括：传输栅电极层；传输栅极绝缘层；以及传输栅极间隔件，在与基底的上表面平行的第一方向上邻近于传输栅极绝缘层，并且传输栅极间隔件的一部分设置在浮置扩散区域与传输栅电极层之间。在每个像素中，连接到浮置扩散区域的浮置扩散接触件在第一方向上设置成与邻近于传输栅极结构相比更邻近于像素隔离膜。

公开(公告)号：CN111199990A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911124423.3

申请日：2019-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李泰渊 ,  朴相千

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。

公开(公告)号：CN115775809A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211083821.7

申请日：2022-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相千

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器包括：基板，包括彼此相反的前表面和后表面；设置在基板中的多个单位像素，其中每个单位像素包括光电转换层、浮置扩散区和将光电转换层电连接到浮置扩散区的转移晶体管；像素隔离图案，在第一方向上穿透基板并限定各个单位像素；以及设置在基板的后表面上的微透镜。转移晶体管包括栅电极，该栅电极包括沿像素隔离图案在第二方向上延伸的第一部分以及沿像素隔离图案在第三方向上延伸的第二部分，并且从基板的后表面到栅电极的顶表面的高度小于基板的厚度。

公开(公告)号：CN111029365A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910959825.9

申请日：2019-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰渊 ,  金昶和 ,  金宰浩 ,  朴相千 ,  李贵德 ,  李范硕 ,  李宰圭 ,  笕和宪

IPC: H01L27/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。