公开(公告)号：CN114639692A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111530784.5

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金显喆 ,  李景镐 ,  笕和宪 ,  薛斗植 ,  李卿德 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；像素区域，其在平行于第一表面的方向上布置；第一光电二极管和第二光电二极管，它们在像素区域中的每一个中彼此隔离；第一装置隔离膜，其位于像素区域之间；成对的第二装置隔离膜，其位于第一光电二极管与第二光电二极管之间，并且从第一装置隔离膜延伸；掺杂层，其与成对的第二装置隔离膜相邻，并且从第二表面延伸到预定深度，并且与第一表面间隔开，掺杂层与第一装置隔离膜隔离；以及势垒区域，其位于成对的第二装置隔离膜之间，并且具有大于衬底的与势垒区域相邻的部分的电势的电势。

公开(公告)号：CN111029365A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910959825.9

申请日：2019-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰渊 ,  金昶和 ,  金宰浩 ,  朴相千 ,  李贵德 ,  李范硕 ,  李宰圭 ,  笕和宪

IPC: H01L27/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。