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公开(公告)号：CN118338150A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311201694.0
申请日：2023-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70
Abstract: 公开了一种图像传感器。多个像素中的每个像素包括：光电二极管；传输晶体管，连接在光电二极管与浮动扩散节点之间；复位晶体管，连接在浮动扩散节点与施加有第一电源电压的第一电源节点之间；第一源极跟随器晶体管，包括与浮动扩散节点连接的栅极、与施加有第二电源电压的第二电源节点连接的第一端子、以及与第一节点连接的第二端子；预充电晶体管，连接在第一节点与浮动节点之间；第一预充电选择晶体管，连接在浮动节点与接地节点之间；第二预充电选择晶体管，连接在第一节点与第二节点之间；以及第一电容器，连接在预充电晶体管的栅极与浮动节点之间。
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公开(公告)号：CN117768797A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311231554.8
申请日：2023-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/532 , H04N25/531 , H04N25/70 , H04N25/78 , H04N25/75 , H04N25/709
Abstract: 公开了图像传感器和包括图像传感器的图像处理装置。所述图像传感器包括：像素阵列，多个像素被布置在像素阵列中；以及行驱动器。每个像素包括：光电二极管；传输晶体管，用于将光电二极管的光电荷传输到浮置扩散节点(FD)；转换增益控制晶体管；第一源极跟随器，用于放大FD的电压并且将放大后的电压输出到第一节点；预充电选择晶体管，连接在第一节点与第二节点之间；第一电容器；第一采样晶体管，连接在第二节点与第一电容器之间；第二电容器；第二采样晶体管，连接在第二节点与第二电容器之间；第二源极跟随器，用于放大第二节点的电压；第一选择晶体管，连接在第二源极跟随器与列线之间；以及第二选择晶体管，连接在第一节点与列线之间。
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公开(公告)号：CN110211976B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910125827.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器芯片可以包括第一子芯片、在第一子芯片上的第二子芯片、以及在第一子芯片与第二子芯片之间的互连。第一子芯片可以包括第一基板、在第一基板的第一区域上的底电极和在底电极上的第一电容器。第一电容器可以包括从底电极的顶表面垂直延伸的多个第一电极、在第一电极上的第二电极、以及在第二电极与第一电极之间的第一电介质层。第二子芯片可以包括配置为将入射光转换成电信号的像素阵列。像素阵列可以通过互连电连接到第一电容器。
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公开(公告)号：CN115633267A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202210654834.9
申请日：2022-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H04N25/76
Abstract: 公开了图像传感器和操作图像传感器的方法。所述图像传感器包括：第一电容器和第二电容器；第一晶体管，在光电二极管与浮置扩散节点之间，并且接收传输信号；第二晶体管，在第一电源端子与浮置扩散节点之间，并且接收复位信号；第三晶体管，在第二电源端子与第一节点之间，并且具有连接到浮置扩散节点的栅极；第四晶体管，在第一节点与列线之间，并且接收预充电信号；第五晶体管，在第一电容器与反馈节点之间，并且接收第一采样信号；第六晶体管，在第二电容器与反馈节点之间，并且接收第二采样信号；第七晶体管，在第一节点与反馈节点之间，并且接收第一开关信号；以及第八晶体管，在浮置扩散节点与反馈节点之间，并且接收第二开关信号。
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公开(公告)号：CN105702284B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201510919424.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开了具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法。用于半导体存储器件的感测电路包括具有第一端和第二端的位线、感测线、电流供应单元和感测放大器。多个存储单元连接在第一端与第二端之间。感测线连接到位线的第二端，电流供应单元经由位线的第一端供应感测电流的。当感测电流从位线的第一端流到所选择的存储单元时，感测放大器通过将感测线的感测电压与参考电压相比较来感测存储在所选择的存储单元中的数据。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103811494A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310547253.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C5/063 , G11C7/18 , G11C13/0002 , G11C2213/82 , H01L27/0207 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 半导体存储器件包括在一个单元阵列块中沿行和列二维地布置的单位单元。单位单元被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的单位单元。每个单位单元包括选择元件和数据存储部。字线连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极。位线连接到组成所述行的单位单元的数据存储部。在每个单元子组中源极线电连接到单位单元的选择元件的源极端子。源极线平行于位线。源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。
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公开(公告)号：CN100435353C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN03136988.X
申请日：2003-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66628 , H01L29/41775 , H01L29/41783 , Y10S257/90
Abstract: 在MOS晶体管及其制造方法中，在衬底上形成了包括栅绝缘层和栅电极的栅结构。第一绝缘层被形成以便盖住栅结构。第二绝缘层形成在与第一绝缘层分离的衬底上。轻掺杂的源/漏区形成在栅结构和第二绝缘层之间的衬底的表面部分中。源/漏延展层形成在轻掺杂的源/漏区上。重掺杂的源/漏区形成在第二绝缘层上并且与源/漏延展层接触。短沟道效应被抑制并且源/漏结电容被降低。
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公开(公告)号：CN1241027A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99109408.5
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/762 , H01L21/765 , H01L27/10805 , H01L27/10873
Abstract: 本发明通过采用浅槽隔离(STI)中的导电屏蔽层,为亚微米隔离间距的DRAM提供具有低掺杂衬底和与有源宽度无关的阈值电压的无窄沟道效应的DRAM单元晶体管结构。所得到的单元晶体管结构大大消除了从栅和邻近存储节点结经过浅槽隔离的寄生E场穿透,并且非常适用于Gbit规模DRAM技术。用负电压偏置导电屏蔽层,以便最小化衬底中的侧壁耗尽。
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公开(公告)号：CN111556262B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010074076.4
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器设备，包括：数字像素，其包括光电检测器、比较器和存储器电路；像素驱动器，其控制数字像素；以及数字逻辑电路，其对从数字像素输出的数字信号执行数字信号处理操作。光电检测器和比较器的第一部分形成在第一半导体管芯中，比较器的第二部分、存储器电路和像素驱动器形成在第一半导体管芯下的第二半导体管芯中，并且数字逻辑电路形成在第二半导体管芯下的第三半导体管芯中。
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