公开(公告)号：CN118398632A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410081309.1

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴均河 ,  姜正淳 ,  朴锺银 ,  李贵德 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括在竖直方向上堆叠的第一结构和第二结构，其中，第一结构包括第一像素区域、光电转换单元、浮置扩散区域、第一层间绝缘层和第一像素垫，光电转换单元在第一像素区域中，浮置扩散区域在第一像素区域中，第一层间绝缘层在浮置扩散区域上，第一像素垫电连接到浮置扩散区域，第二结构包括第二像素区域、源极跟随器晶体管、第二层间绝缘层和第二像素垫，源极跟随器晶体管在第二像素区域中，第二层间绝缘层在源极跟随器晶体管上，第二像素垫电连接到源极跟随器晶体管的栅极，并且所述图像传感器包括耦合防止线，耦合防止线围绕第一像素垫和第二像素垫布置并且电连接到源极跟随器晶体管的源极区域。

公开(公告)号：CN117497546A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310904632.X

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  李汀鎭 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底，包括模拟块和数字块；隔离结构，延伸穿过第一基底，并且将模拟块与数字块分开；第一晶体管，在数字块上；第二晶体管，在模拟块上；布线，在第二晶体管上，并且电连接到第二晶体管；第二基底，在布线上；滤色器阵列层，在第二基底上，并且包括滤色器；微透镜，在滤色器阵列层上；光感测元件，第二基底中；传输栅极(TG)，延伸穿过第二基底的下部且与光感测元件相邻；以及浮置扩散区域(FD)，在第二基底的下部处与TG相邻，并且电连接到布线。

公开(公告)号：CN118338150A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311201694.0

申请日：2023-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  罗暻朝 ,  赵东锡

IPC: H04N25/70

Abstract: 公开了一种图像传感器。多个像素中的每个像素包括：光电二极管；传输晶体管，连接在光电二极管与浮动扩散节点之间；复位晶体管，连接在浮动扩散节点与施加有第一电源电压的第一电源节点之间；第一源极跟随器晶体管，包括与浮动扩散节点连接的栅极、与施加有第二电源电压的第二电源节点连接的第一端子、以及与第一节点连接的第二端子；预充电晶体管，连接在第一节点与浮动节点之间；第一预充电选择晶体管，连接在浮动节点与接地节点之间；第二预充电选择晶体管，连接在第一节点与第二节点之间；以及第一电容器，连接在预充电晶体管的栅极与浮动节点之间。

公开(公告)号：CN118173563A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311286691.1

申请日：2023-10-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  严昌镕 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70 ,  H04N25/77

Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：光电转换元件，在第一半导体基底中；第二半导体基底，在第一半导体基底上；源极跟随器晶体管，在第二半导体基底上；以及贯穿插塞，穿透第二半导体基底。贯穿插塞将光电转换元件电连接到源极跟随器晶体管。源极跟随器晶体管的源极端子电连接到第二半导体基底。

公开(公告)号：CN117954460A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311316274.7

申请日：2023-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵东锡 ,  朴锺银 ,  姜正淳 ,  朴均河 ,  李贵德

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了堆叠式图像传感器。所述堆叠式图像传感器包括：第一半导体基底，包括光电转换区域和浮置扩散区域；第一绝缘层，在第一半导体基底下方并且包括传输晶体管的栅极；第二半导体基底，在第一绝缘层下方并且包括第一导电类型的第一杂质；以及第二绝缘层，在第二半导体基底下方并且包括浮置扩散节点的金属垫和源极跟随器晶体管的栅极，其中，浮置扩散区域和浮置扩散节点的金属垫通过位于第一绝缘层和第二半导体基底中的深接触件电连接。第二半导体基底还包括阱区域。深接触件的至少一部分可在阱区域中。阱区域可围绕深接触件。

公开(公告)号：CN114242739A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111048596.9

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金大训 ,  金昇埴 ,  宋智娟 ,  全在勋 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/369

Abstract: 一种图像传感器包括多个单位像素，每个单位像素包括：基板，包括彼此相对的第一侧和第二侧；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一侧上的布线结构。布线结构可以包括：第一电容器；与第一电容器间隔开的第二电容器；沿着单位像素的边缘布置的多个边缘通路；以及插设在第一电容器和第二电容器之间的多个中心通路。

公开(公告)号：CN103198019A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210411544.8

申请日：2012-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵东锡

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G11C29/765 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  Y02D10/13

Abstract: 提供一种文件系统及其控制方法。所述文件系统包括：第一存储器单元，是非易失性的，并具有多个块；控制单元，被配置为选择第一存储器单元的所述多个块中的一个，确定选择的块是否是有效块，如果选择的块是有效块，则控制针对选择的块的数据写入，通过检查第一存储器单元的所述多个块将所述多个块划分为有效块和坏块，通过将有效块和坏块映射到地址来产生地址表，并控制产生的地址表的加载；第二存储器单元，是易失性的，并存储用于第一存储器单元的所述多个块的地址表。作为非易失性存储器的闪速存储器的地址表被存储在另一存储器中。

公开(公告)号：CN103065683A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210408572.4

申请日：2012-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵东锡

IPC: G11C16/06 ,  G11C29/42

CPC classification number: G06F11/1048

Abstract: 提供一种存储器系统和用于记录/再现其数据的方法，所述存储器系统包括闪速存储器；存储器控制器，被配置为控制用于在闪速存储器上记录数据的操作或从闪速存储器中再现记录的数据的操作，其中，存储器控制器包括：编码器，被配置为从将被记录在闪速存储器中的数据产生纠错码(ECC)，并通过使用特定ECC转换产生的ECC；存储器接口，被配置为将数据和转换的ECC记录到闪速存储器中；解码器，被配置为通过使用特定ECC恢复从闪速存储器中读取的转换的ECC，并通过使用恢复的ECC检测并纠正从闪速存储器中读取的数据的错误，其中，特定ECC是针对数据0xff的ECC。