公开(公告)号：CN118398632A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410081309.1

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴均河 ,  姜正淳 ,  朴锺银 ,  李贵德 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括在竖直方向上堆叠的第一结构和第二结构，其中，第一结构包括第一像素区域、光电转换单元、浮置扩散区域、第一层间绝缘层和第一像素垫，光电转换单元在第一像素区域中，浮置扩散区域在第一像素区域中，第一层间绝缘层在浮置扩散区域上，第一像素垫电连接到浮置扩散区域，第二结构包括第二像素区域、源极跟随器晶体管、第二层间绝缘层和第二像素垫，源极跟随器晶体管在第二像素区域中，第二层间绝缘层在源极跟随器晶体管上，第二像素垫电连接到源极跟随器晶体管的栅极，并且所述图像传感器包括耦合防止线，耦合防止线围绕第一像素垫和第二像素垫布置并且电连接到源极跟随器晶体管的源极区域。

公开(公告)号：CN117954460A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311316274.7

申请日：2023-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵东锡 ,  朴锺银 ,  姜正淳 ,  朴均河 ,  李贵德

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了堆叠式图像传感器。所述堆叠式图像传感器包括：第一半导体基底，包括光电转换区域和浮置扩散区域；第一绝缘层，在第一半导体基底下方并且包括传输晶体管的栅极；第二半导体基底，在第一绝缘层下方并且包括第一导电类型的第一杂质；以及第二绝缘层，在第二半导体基底下方并且包括浮置扩散节点的金属垫和源极跟随器晶体管的栅极，其中，浮置扩散区域和浮置扩散节点的金属垫通过位于第一绝缘层和第二半导体基底中的深接触件电连接。第二半导体基底还包括阱区域。深接触件的至少一部分可在阱区域中。阱区域可围绕深接触件。