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公开(公告)号：CN118398632A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410081309.1
申请日：2024-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括在竖直方向上堆叠的第一结构和第二结构，其中，第一结构包括第一像素区域、光电转换单元、浮置扩散区域、第一层间绝缘层和第一像素垫，光电转换单元在第一像素区域中，浮置扩散区域在第一像素区域中，第一层间绝缘层在浮置扩散区域上，第一像素垫电连接到浮置扩散区域，第二结构包括第二像素区域、源极跟随器晶体管、第二层间绝缘层和第二像素垫，源极跟随器晶体管在第二像素区域中，第二层间绝缘层在源极跟随器晶体管上，第二像素垫电连接到源极跟随器晶体管的栅极，并且所述图像传感器包括耦合防止线，耦合防止线围绕第一像素垫和第二像素垫布置并且电连接到源极跟随器晶体管的源极区域。
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公开(公告)号：CN115775810A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211100185.4
申请日：2022-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜正淳
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，该图像传感器包括：第一半导体基板；在第一半导体基板中的光电转换层；在第一半导体基板的第一表面上的滤色器；覆盖滤色器的微透镜；在第一半导体基板上的第一晶体管；在第二表面上的第一绝缘层；与第一绝缘层接触的第二半导体基板，该第二半导体基板包括暴露第一栅极结构的至少一部分的栅极沟槽；在第二半导体基板上的第二晶体管；在第四表面上的第二绝缘层；以及在第二绝缘层中的金属层。
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公开(公告)号：CN116344565A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211594145.X
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可包括：下衬底上的下器件；下衬底上的中间衬底上的中间器件；以及中间衬底上的上衬底上的上器件。下器件可包括逻辑晶体管。中间器件可包括至少一个晶体管。上器件可包括光电二极管和浮置扩散区。下衬底、中间衬底和上衬底可被堆叠。中间衬底可包括第一半导体层、氧化硅层和第二半导体层图案的堆叠件。绝缘图案填充由第一半导体层的一个或多个内表面至少部分地限定的开口。埋置绝缘图案填充延伸穿过第二半导体层图案的沟槽。
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公开(公告)号：CN114497092A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111172844.0
申请日：2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和包括其的电子系统。所述图像传感器包括衬底，所述衬底具有像素区域，在所述像素区域中限定了多个有源区域。第一晶体管包括具有掩埋栅极部分的第一栅电极。所述掩埋栅极部分在选自所述多个有源区域的第一有源区域中被掩埋在所述衬底中。第二晶体管包括在垂直方向上与所述第一有源区域上的所述掩埋栅极部分交叠的第二栅电极。
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公开(公告)号：CN103513402B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210317037.8
申请日：2012-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B13/004 , G02B13/18 , H04N5/225
Abstract: 提供一种移动式微型成像光学器，其作为包含受光元件的成像用光学器，从物体侧按顺序包括：第1透镜，其具备正或负的折射率；第2透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面为凹陷形状；第3透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状；和第4透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状。并且满足以下数学式1至数学式3：数学式1，0.25＜FBL/f＜0.35；数学式2，3.5＜OL/FBL＜4.5；数学式3，f/D≤2.6。其中，FBL是从所述成像光学器结构部分的上侧面端侧至受光元件的距离，OL是以光轴为基准从所述第1透镜的物体侧面至受光元件的距离，f是以光轴为基准所述成像光学器的焦点距离，D是所述成像光学器的入射瞳口径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387329A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211640314.9
申请日：2022-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/34
Abstract: 一种图像传感器包括第一下部芯片和在第一下部芯片上并接合至第一下部芯片的上部芯片。第一下部芯片和上部芯片合起来提供多个像素。多个像素中的各个像素包括在上部芯片中的光电转换元件、浮置扩散区、接地区和传输栅极，以及在第一下部芯片中的多个下部晶体管。多个下部晶体管当中的第一下部晶体管包括垂直堆叠的多个第一沟道层以及在多个第一沟道层上的第一栅极。
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公开(公告)号：CN115692437A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210430134.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括在竖直方向上顺序堆叠的第一结构、第二结构和第三结构。第一结构包括第一基底和设置在第一基底上的至少一个第一晶体管。第二结构包括第二基底和设置在第二基底上的至少一个第二晶体管。第三结构包括：第三基底，包括光入射在其上的上表面以及与上表面相对的下表面；光电转换区域，设置在第三基底中；传输栅极，设置在第三基底的下表面上；以及反射结构，设置在第三基底的下表面上以及传输栅极的下表面和侧表面上。
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公开(公告)号：CN103513402A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210317037.8
申请日：2012-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B13/004 , G02B13/18 , H04N5/225
Abstract: 提供一种移动式微型成像光学器，其作为包含受光元件的成像用光学器，从物体侧按顺序包括：第1透镜，其具备正或负的折射率；第2透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面为凹陷形状；第3透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状；和第4透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状。并且满足以下数学式1至数学式3：数学式1，0.25＜FBL/f＜0.35；数学式2，3.5＜OL/FBL＜4.5；数学式3，f/D≤2.6。其中，FBL是从所述成像光学器结构部分的上侧面端侧至受光元件的距离，OL是以光轴为基准从所述第1透镜的物体侧面至受光元件的距离，f是以光轴为基准所述成像光学器的焦点距离，D是所述成像光学器的入射瞳口径。
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公开(公告)号：CN117954460A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311316274.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了堆叠式图像传感器。所述堆叠式图像传感器包括：第一半导体基底，包括光电转换区域和浮置扩散区域；第一绝缘层，在第一半导体基底下方并且包括传输晶体管的栅极；第二半导体基底，在第一绝缘层下方并且包括第一导电类型的第一杂质；以及第二绝缘层，在第二半导体基底下方并且包括浮置扩散节点的金属垫和源极跟随器晶体管的栅极，其中，浮置扩散区域和浮置扩散节点的金属垫通过位于第一绝缘层和第二半导体基底中的深接触件电连接。第二半导体基底还包括阱区域。深接触件的至少一部分可在阱区域中。阱区域可围绕深接触件。
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公开(公告)号：CN116647763A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310146505.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/51 , H04N25/59 , H04N25/766
Abstract: 一种图像传感器，包括光电转换器，被配置为响应于接收的光而将接收的光转换为电荷，并且将电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为向浮置扩散节点提供第一节点的电压；复位晶体管，被配置为基于复位信号将浮置扩散节点的电压复位到驱动电压；源极跟随器晶体管，被配置为基于浮置扩散节点的电压来提供单元像素输出；选择晶体管，连接到源极跟随器晶体管，并且用选择信号选通，以向外部输出单元像素输出；以及铁电电容器，连接到浮置扩散节点，其中铁电电容器被配置为基于铁电电容器的转换增益模式来调整浮置扩散节点的转换增益，该转换增益模式是第一转换增益模式、第二转换增益模式或第三转换增益模式。
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