公开(公告)号：CN115883991B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202211519260.0

申请日：2022-11-30

Applicant: 天津大学

Inventor： 高静 ,  孙铄 ,  聂凯明 ,  高志远 ,  徐江涛

IPC: H04N25/59 ,  H10F39/12 ,  H10F39/18 ,  H04N25/626 ,  H04N25/616 ,  H04N25/65 ,  H04N25/585 ,  H04N25/77 ,  H04N25/78

Abstract: 本发明公开了一种提升高动态范围像素转换节点信噪比的像素电路，包括P型衬底，P型衬底设置大光电二极管、一号传输门、一号电荷‑电压转换节点、二号传输门、二号电荷‑电压转换节点、三号传输门、三号电荷‑电压转换节点、四号传输门、小光电二极管，大光电二极管左侧设置四号电荷‑电压转换节点，四号电荷‑电压转换节点和大光电二极管之间连接电荷防溢晶体管，四号电荷‑电压转换节点经二号横向溢流集成电容接地，四号电荷‑电压转换节点和二号电荷‑电压转换节点之间连接溢出电荷的传输栅。本发明在保证高动态范围像素满阱容量不发生明显变化的同时显著提高了SP1L向SP2H信号切换时的信噪比大小，显著优化了该高动态像素的成像质量。

公开(公告)号：CN113784064B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202111085823.5

申请日：2021-09-16

Applicant: 思特威(上海)电子科技股份有限公司

Inventor： 郭同辉

IPC: H04N25/57 ,  H04N25/59

Abstract: 一种高动态范围图像传感器像素电路及其操作方法，属于传感器领域，光电转换元件在曝光周期内接收光信号以产生电荷；电荷存储转移电路根据电荷调制信号对电荷进行存储以生成积分电荷信号，并根据控制选择信号将积分电荷信号输出；电荷调制信号与曝光时间之间成基数大于1的对数关系；释放电路至少在生成积分电荷信号的过程中根据弱关闭信号释放光电转换元件产生的部分电荷；电信号读出电路根据像素选择控制信号将积分电荷信号转换为电信号，以得到图像信号；故增加了高动态范围图像传感器像素电路感光动态范围，增加了高动态范围图像传感器像素电路感光动态范围调节的灵活性。

公开(公告)号：CN115379139B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202210982761.6

申请日：2022-08-16

Applicant: 成都微光集电科技有限公司

Inventor： 蔡化 ,  陈正 ,  陈飞 ,  王勇

IPC: H04N25/59 ,  H04N25/78

Abstract: 本发明提供了一种图像传感器读出方法，包括：在复位阶段，控制选通信号SEL置为低电平，复位信号RX和传输信号TX均置为高电平；当像素单元被复位后，控制所述传输信号TX从高电平切换为第一低电平，使得传输管Mtg断开；在曝光阶段，保持选通信号SEL为低电平；在信号读取阶段，控制选通信号SEL置为高电平，使得选通管Mse l导通，读出存储在浮空节点FD点上的溢出信号电位VOF；本申请通过提高传输信号TX的低电平，使得光电二极管PD上饱和的电子向浮空节点FD溢出，并输出溢出信号电位VOF，使得最终读出的像素信号量较之传统增加了VRST‑VOF，从而使得像素读出信号的动态范围得以扩大，这样无需对光电二极管PD的结构进行优化，降低加工成本。

公开(公告)号：CN119342365A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410693163.6

申请日：2024-05-31

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 王睿 ,  后藤贵之

IPC: H04N25/76 ,  H04N25/78 ,  H04N25/59 ,  H10F39/18

Abstract: 本公开涉及一种三重转换增益像素。一种像素阵列包含多个像素胞元，每一像素胞元包含：光电二极管，其经配置以响应于入射光而光生图像电荷；第一浮动扩散部FD，其经耦合以从所述光电二极管接收所述图像电荷；复位晶体管，其耦合在电压源与所述第一FD之间；第二FD，其耦合在所述第一FD与接地之间；第一双FD晶体管，其耦合在所述第一与第二FD之间。耦合第一及第二像素胞元的第二FD。耦合第三及第四像素胞元的第二FD。

公开(公告)号：CN118945498A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411292410.8

申请日：2020-11-09

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴儒珍 ,  金南烈 ,  徐康凤 ,  徐成旭 ,  申正淳

IPC: H04N25/59 ,  H04N25/78

Abstract: 公开了一种图像感测装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：在第一帧周期期间，基于从至少一个深度感测像素读出的像素信号确定所述至少一个深度感测像素是否饱和；在所述第一帧周期期间，存储被确定为饱和的深度感测像素的补偿信息；以及在所述第一帧周期之后的第二帧周期期间，通过基于所述补偿信息而向所述被确定为饱和的深度感测像素中的浮置扩散节点提供与背景光相对应的补偿电流来从该深度感测像素去除所述背景光。

公开(公告)号：CN118899324A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410919307.5

申请日：2022-06-10

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 内田哲弥 ,  宫泽信二 ,  石崎健士 ,  新宅浩聡 ,  堀越浩

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/59 ,  H04N25/771

Abstract: 本技术涉及均能够在不降低光电二极管的饱和电荷量的情况下扩大动态范围的摄像器件和电子设备。提供了将光转换为电荷的光电转换单元、临时存储电荷的多个存储部、向存储部传输电荷的多个传输单元、以及分离像素的贯通沟槽。多个存储部中的至少一者是电容元件。多个存储部中的至少一者存储从光电转换单元溢出的电荷。例如，本技术可应用于用于拍摄图像的摄像器件。

公开(公告)号：CN114208158B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202080055560.0

申请日：2020-08-04

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 浴良仁 ,  横山恭二

IPC: H04N25/76 ,  H04N25/59 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供信息处理装置、信息处理方法和信息处理程序，其能够降低卷积神经网络(CNN)中的卷积处理的负荷。根据本公开的信息处理装置(1)包括设定单元(51)和控制单元(52)。设定单元(51)将包括二维排列的多个成像像素的成像单元(2)中的每个成像像素的曝光时间设定为与CNN的第一层的卷积系数相对应的曝光时间。控制单元(52)使信号电荷从已曝光的成像像素传输到浮动扩散(FD)，从而执行卷积处理。

公开(公告)号：CN118612564A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410689542.8

申请日：2024-05-30

Applicant: 上海炬佑智能科技有限公司

Inventor： T·埃尔卡特比 ,  高文才 ,  李丹 ,  郭淦 ,  叶果

IPC: H04N25/77 ,  H04N25/78 ,  H04N25/706 ,  H04N25/59

Abstract: 本申请公开一种全局快门飞行时间像素电路及传感系统，包括感光模块和n个读出通道，n≥3；所述感光模块用于获取各个读出通道对应的光信号，并将所述光信号转换为对应的电信号；第i读出通道包括用于存储光信号对应的电荷的电容，用于接入复位信号RST、选择信号SEL和第i个转移信号TXi，在TXi＝1、RST＝0、SEL＝1时传输对应的电信号，在TXi＝1、RST＝1、SEL＝1时清空对应电容处的电信号；其中各个读出通道对应的转移信号的高电平持续时间互不相同；1≤i≤n。本申请能够节省控制信号的个数，减少信号连接信号，达到简化对应电路、降低功耗和成本的目的。

公开(公告)号：CN111627944B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010110632.9

申请日：2020-02-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 筱原真人

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/59 ,  H04N25/63 ,  H04N25/47

Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统、放射线成像系统和可移动物体。一种光电转换设备包括：光电转换单元，生成第一极性的信号电荷；以及电荷转换电路，将信号电荷转换成信号电压。光电转换单元包括设置在半导体基板的表面侧的第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域、设置在第一深度处的第一导电类型的第三半导体区域、设置在第二深度处并且在平面图中与第二半导体区域重叠的第二导电类型的第四半导体区域以及设置在第三深度处的第一导电类型的第五半导体区域，并且在平面图中第三半导体区域和第五半导体区域与第一半导体区域、第二半导体区域和第四半导体区域重叠。

公开(公告)号：CN114222080B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202111533033.9

申请日：2021-12-15

Applicant: 上海韦尔半导体股份有限公司

Inventor： 陈多金 ,  旷章曲 ,  王菁 ,  龚雨琛 ,  陈杰 ,  徐景星 ,  衷世雄

IPC: H04N25/76 ,  H04N25/57 ,  H04N25/59 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种高动态像素结构，至少包括置于半导体基体中的光电二极管(PD)、传输管(TX)、悬浮节点(FD)、复位管(RESET)、源跟随器(SF)、行选通管(SELECT)、电源(VDD)以及pixel输出(VOUT)。FD包含三个不同面积、不同离子注入浓度的区域。通过对FD面积的控制，形成可变的FD电容和FD转换增益,通过对掺杂浓度的控制形成电势梯度。弱光下，高电势的FD1起作用，FD1对应高转换增益，能够把少量的电子转换为较强的电压信号，避免了因为光照弱而无法量化光电信号的问题。强光下，FD1、FD2和FD3同时起作用，其转换增益较小，FD能够收集很多的光电子，避免了强光下FD过早饱和的问题，有效的拓展了光强范围，从而扩展了像素的动态范围。